जब प्रकाश का एक बिंदु स्रोत एक फोटोइलेक्ट्रिक सेल से $50 \, cm$ की दूरी पर होता है,तो कट-ऑफ वोल्टेज $V_0$ पाया जाता है। यदि उसी स्रोत को सेल से $1 \, m$ की दूरी पर रखा जाए,तो कट-ऑफ वोल्टेज होगा

$5.5 \ eV$ ऊर्जा वाला एक फोटॉन एक ऐसी सतह पर गिरता है जो $4.0 \ eV$ की अधिकतम गतिज ऊर्जा वाले फोटो-इलेक्ट्रॉन उत्सर्जित करती है। इन इलेक्ट्रॉनों के लिए निरोधी विभव (stopping potential) ............ $V$ है।

एक फोटोइलेक्ट्रिक सतह को क्रमिक रूप से $\lambda$ और $\frac{\lambda}{2}$ तरंगदैर्ध्य के मोनोक्रोमैटिक प्रकाश द्वारा प्रकाशित किया जाता है। यदि पहले मामले में उत्सर्जित फोटोइलेक्ट्रॉन की अधिकतम गतिज ऊर्जा दूसरे मामले की तुलना में एक-तिहाई है,तो सामग्री की सतह का कार्य फलन (work function) क्या है? ($c=$ प्रकाश की गति,$h=$ प्लांक नियतांक)

आइंस्टीन के प्रकाश-विद्युत प्रभाव को समझाइए और आइंस्टीन का प्रकाश-विद्युत समीकरण व्युत्पन्न कीजिए।

जब '$\lambda$' तरंगदैर्ध्य का प्रकाश एक प्रकाश-संवेदी सतह पर आपतित होता है, तो निरोधी विभव (stopping potential) '$V$' है। जब $1.5\lambda$ तरंगदैर्ध्य का प्रकाश उसी सतह पर आपतित होता है, तो निरोधी विभव '$\frac{V}{4}$' है। सतह के लिए देहली तरंगदैर्ध्य (threshold wavelength) है

सूर्य का प्रतिबिंब $30 \ cm$ फोकस दूरी वाले लेंस द्वारा एक फोटोइलेक्ट्रिक सेल की धातु की सतह पर बनाया जाता है और एक फोटोइलेक्ट्रिक धारा $I$ उत्पन्न होती है। प्रतिबिंब बनाने वाले लेंस को समान व्यास लेकिन $15 \ cm$ फोकस दूरी वाले दूसरे लेंस से बदल दिया जाता है। इस स्थिति में फोटोइलेक्ट्रिक धारा क्या होगी?