જ્યારે સિલિકોન $PN$ જંકશન શ્રેણી અવરોધ સાથે ફોરવર્ડ બાયસ સ્થિતિમાં હોય,ત્યારે તેનો ની વોલ્ટેજ (knee voltage) $0.6\, V$ છે. જ્યારે $PN$ જંકશનને $2.6\, V$ ની બેટરી સાથે જોડવામાં આવે છે,ત્યારે તેમાં વહેતો પ્રવાહ $5\, mA$ છે. શ્રેણી અવરોધનું મૂલ્ય.....$\Omega$ છે.

જ્યારે $p-n$ જંકશનને ફોરવર્ડ બાયસ આપવામાં આવે છે, ત્યારે તે . . . . . . .

$621 \ nm$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા એકવર્ણી પ્રકાશના ફોટોનની ઉર્જા અર્ધવાહક પદાર્થના બેન્ડ ગેપ સાથે મેળ ખાય છે. તો અર્ધવાહકમાંથી ઈલેક્ટ્રોન-હોલ જોડી બનાવવા માટે જરૂરી લઘુત્તમ ઉર્જા કેટલી છે ($eV$ માં)?
[લો $hc = 1242 \ eV-nm$,જ્યાં $h$ પ્લાન્કનો અચળાંક છે અને $c$ શૂન્યાવકાશમાં પ્રકાશની ઝડપ છે]

આપેલ સર્કિટમાં,ઇનપુટ વોલ્ટેજ $V_{\text{in}}$ આકૃતિમાં દર્શાવેલ છે. $p-n$ જંકશન ડાયોડ ($D_{1}$ અથવા $D_{2}$) નો કટ-ઇન વોલ્ટેજ $0.6\,V$ છે. ડાયોડની આજુબાજુનો નીચેનામાંથી કયો આઉટપુટ વોલ્ટેજ $(V_{0})$ વેવફોર્મ સાચો છે?

p-n જંકશન પર $0.4 \,V$ નો પોટેન્શિયલ બેરિયર અસ્તિત્વ ધરાવે છે. એક ઇલેક્ટ્રોન $n$-બાજુથી $6.0 \times 10^{5} \,ms^{-1}$ ની ઝડપે જંકશનમાં પ્રવેશે છે. જે ઝડપ સાથે ઇલેક્ટ્રોન $p$-બાજુમાં પ્રવેશશે તે $\frac{x}{3} \times 10^{5} \,ms^{-1}$ છે. $x$ નું મૂલ્ય ............. છે.
(આપેલ છે: ઇલેક્ટ્રોનનું દળ $= 9 \times 10^{-31} \,kg$,ઇલેક્ટ્રોન પરનો વિદ્યુતભાર $= 1.6 \times 10^{-19} \,C$.)

$p-n$ જંકશન ડાયોડ માટે, બ્રેકડાઉન વોલ્ટેજ ક્યારે જોવા મળે છે?