जब LED का निर्माण एल्युमीनियम गैलियम आर्सेनाइ | vedclass

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Question

(B) $LED$ द्वारा उत्सर्जित प्रकाश की तरंगदैर्घ्य प्रयुक्त अर्धचालक पदार्थ की बैंड गैप ऊर्जा $(E_g)$ पर निर्भर करती है। एल्युमीनियम गैलियम आर्सेनाइड $(

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अवरक्त (इन्फ्रारेड) विकिरण

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(B) $LED$ द्वारा उत्सर्जित प्रकाश की तरंगदैर्घ्य प्रयुक्त अर्धचालक पदार्थ की बैंड गैप ऊर्जा $(E_g)$ पर निर्भर करती है। एल्युमीनियम गैलियम आर्सेनाइड $(AlGaAs)$ एक ऐसा अर्धचालक पदार्थ है जिसकी बैंड गैप ऊर्जा विद्युत चुम्बकीय स्पेक्ट्रम के अवरक्त (इन्फ्रारेड) क्षेत्र के अनुरूप होती है। इसलिए,$AlGaAs$ का उपयोग करके निर्मित $LED$ अवरक्त विकिरण उत्सर्जित करती है।

जब $LED$ का निर्माण एल्युमीनियम गैलियम आर्सेनाइड $(AlGaAs)$ का उपयोग करके किया जाता है,तो यह क्या उत्सर्जित करता है?

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