जब $p-n$ जंक्शन को फॉरवर्ड बायस (अग्र अभिनति) में रखा जाता है,तो विभव प्राचीर $(V_B)$ और अवक्षय परत (depletion region) की चौड़ाई $(X)$ पर क्या प्रभाव पड़ता है?

दिए गए परिपथ में, डायोड को आदर्श मानिए। जब $V_{i}$, $2 \ V$ से बढ़कर $6 \ V$ हो जाता है, तो धारा में परिवर्तन ($mA$ में) कितना होगा?

चित्र में एक $p-n$ जंक्शन डायोड का $I-V$ अभिलक्षण दर्शाया गया है। जब $1 \text{ V}$ का फॉरवर्ड बायस लगाया जाता है,तो $p-n$ जंक्शन का अनुमानित गतिक प्रतिरोध (dynamic resistance) ज्ञात कीजिए। ($\Omega$ में)

अनबायस्ड $PN$ जंक्शन के डिप्लीशन ज़ोन (depletion zone) के संबंध में निम्नलिखित में से कौन सा/से कथन सत्य है/हैं?
$(A)$ ज़ोन की चौड़ाई डोपेंट्स (अशुद्धियों) के घनत्व से स्वतंत्र है।
$(B)$ ज़ोन की चौड़ाई डोपेंट्स के घनत्व पर निर्भर करती है।
$(C)$ ज़ोन में विद्युत क्षेत्र आयनित डोपेंट परमाणुओं द्वारा उत्पन्न होता है।
$(D)$ ज़ोन में विद्युत क्षेत्र कंडक्शन बैंड में इलेक्ट्रॉनों और वैलेंस बैंड में होल्स द्वारा प्रदान किया जाता है।

चित्र में एक डायोड के $V-I$ अभिलक्षण दर्शाए गए हैं। अग्र अभिनत (forward bias) और पश्च अभिनत (reverse bias) प्रतिरोध का अनुपात क्या है?

$P-N$ जंक्शन पर दूरी के साथ आवेश घनत्व के परिवर्तन को कौन सा ग्राफ दर्शाता है?