જ્યારે $\lambda$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ ફોટોસેલના એમિટર પર પડે છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ઝડપ $V$ છે. જો આપાત તરંગલંબાઈ બદલીને $\frac{2\lambda}{3}$ કરવામાં આવે,તો ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ઝડપ કેટલી હશે?

એક ચોક્કસ ધાતુની સપાટીને $\lambda$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા એકવર્ણી પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે. આ પ્રકાશ માટે ફોટો-ઇલેક્ટ્રિક પ્રવાહનું સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $3V_0$ છે. જો તે જ સપાટીને $2\lambda$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V_0$ મળે છે. આ સપાટી માટે ફોટો-ઇલેક્ટ્રિક અસરની થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ કેટલી હશે?

જ્યારે એક પ્રકાશસંવેદી સપાટી પર $\lambda_1$ અને $\lambda_2$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા અનુક્રમે $E_1$ અને $E_2$ છે. પ્રકાશસંવેદી સપાટીનું કાર્ય વિધેય (work function) કેટલું હશે?

$Zn$ નું કાર્ય વિધેય $4.25 \ eV$ છે. તો થ્રેસોલ્ડ આવૃત્તિ કયા વિદ્યુતચુંબકીય વર્ણપટના વિસ્તારમાં હોય છે?

ફોટો ઈલેક્ટ્રિક અસરમાં,આપાત થતાં ફોટોનની આવૃત્તિ અને ઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિ ઊર્જા વચ્ચેનો આલેખ દોરવામાં આવ્યો છે. આ વક્રનો ઢાળ ....... હશે.

પ્રકાશ એક ધાતુની સપાટી પર અથડાય છે, જેના કારણે ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન થાય છે. આપાત પ્રકાશની તરંગલંબાઈ $248 \, nm$ છે. જો ઉત્સર્જિત ઈલેક્ટ્રોન માટે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $2.8 \, eV$ હોય, તો ધાતુનું વર્ક ફંક્શન કેટલું હશે ($ \, eV$ માં)? ($hc = 1240 \, eV \cdot nm$ લો).