જ્યારે ચાર્જ થયેલા કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેની બેટરીને ડિસ્કનેક્ટ કરવામાં આવે છે અને તેની પ્લેટો વચ્ચે ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્લેબ દાખલ કરવામાં આવે છે,ત્યારે સંગ્રહિત ઉર્જા:

સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $d$ છે અને દરેક પ્લેટનું ક્ષેત્રફળ $A$ છે. જ્યારે $k$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક અને $t$ $(t < d)$ જાડાઈ ધરાવતી પદાર્થની સ્લેબને પ્લેટો વચ્ચે મૂકવામાં આવે છે,ત્યારે તેનું કેપેસિટન્સ કેટલું થાય?

$10$ ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા માધ્યમથી ભરેલા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને બેટરી સાથે જોડીને ચાર્જ કરવામાં આવે છે. ડાયલેક્ટ્રિક સ્લેબને $15$ ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા બીજા સ્લેબ દ્વારા બદલવામાં આવે છે. તો કેપેસિટરની ઉર્જા ...................... થશે.

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $0.885$ mm છે. જ્યારે પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યા $1 \times 10^{13}$ $\Omega$m અવરોધકતા અને $17.7 \times 10^{14}$ $\Omega$ અવરોધ ધરાવતા અવાહક પદાર્થથી ભરવામાં આવે છે, ત્યારે તેનું કેપેસિટન્સ $1$ $\mu$$F$ થાય છે. અવાહક પદાર્થની સાપેક્ષ પરમિટિવિટી $\alpha \times 10^7$ છે. $\alpha$ નું મૂલ્ય . . . . . . છે. (મુક્ત અવકાશની પરમિટિવિટી $\epsilon_0 = 8.85 \times 10^{-12}$ $F$/m લો)

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટોનું ક્ષેત્રફળ $A$ અને અંતર $d$ છે. એક બેટરી પ્લેટોને $V_0$ જેટલા વિદ્યુતસ્થિતિમાનના તફાવત સુધી ચાર્જ કરે છે. ત્યારબાદ બેટરીને દૂર કરવામાં આવે છે અને $d$ જાડાઈની ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્લેબ દાખલ કરવામાં આવે છે. સ્લેબ દાખલ કર્યા પહેલા અને પછી કેપેસિટરમાં સંગ્રહિત ઉર્જાનો ગુણોત્તર કેટલો હશે?

એક હવાના કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $C_1$ છે. આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ કેપેસિટરની બે પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યા બે ડાયલેક્ટ્રિક્સથી ભરવામાં આવે છે. કેપેસિટરનું નવું કેપેસિટન્સ $C_2$ છે. ગુણોત્તર $\frac{C_1}{C_2}$ શોધો ($d=$ કેપેસિટરની બે પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર,$K_1$ અને $K_2$ એ અનુક્રમે બે ડાયલેક્ટ્રિક્સના ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંકો છે).