निम्नलिखित में से कौन सा ऊर्जा बैंड आरेख क्रमशः $N-$प्रकार के अर्धचालक और $P-$प्रकार के अर्धचालक को दर्शाता है?

$n$-प्रकार के अर्धचालक बनाने के लिए जर्मेनियम में निम्नलिखित में से किस डोपेंट का उपयोग किया जाता है?

यदि $N_A$ मिलाए गए स्वीकर्ता (acceptor) परमाणुओं का संख्या घनत्व है और $N_D$ एक अर्धचालक में मिलाए गए दाता (donor) परमाणुओं का संख्या घनत्व है,और $n_e$ तथा $n_h$ इसमें इलेक्ट्रॉनों और कोटरों (holes) का संख्या घनत्व है,तो:

$500\,K$ पर शुद्ध $Si$ में इलेक्ट्रॉन $(n_e)$ और होल $(n_h)$ की सांद्रता समान है,जो $1.5 \times 10^{16}\,m^{-3}$ है। इंडियम द्वारा डोपिंग करने पर $n_h$ बढ़कर $4.5 \times 10^{22}\,m^{-3}$ हो जाता है। डोप किया गया अर्धचालक किस प्रकार का है?

$N$-प्रकार के अर्धचालक बनाने के लिए $Si$ में कौन सी अशुद्धि मिलाई जाती है?

$n$-प्रकार के अर्धचालक में,अशुद्धि परमाणुओं द्वारा दान किए गए मुक्त इलेक्ट्रॉन किन ऊर्जा स्तरों पर स्थित होते हैं?