નીચેનામાંથી કયું યોગ્ય રીતે જોડાયેલું નથી?

  • A
    $Z = 48;$ સમૂહ નં. $= 12^{th},$ આવર્ત નં. $= 5^{th}$
  • B
    $[Xe] \, 4f^7 \, 5d^1 \, 6s^2;$ સમૂહ નં. $= 3^{rd},$ આવર્ત નં. $= 6^{th}$
  • C
    $[Rn] \, 5f^{14} \, 6d^3 \, 7s^2;$ સમૂહ નં. $= 5^{th},$ આવર્ત નં. $= 7^{th}$
  • D
    $Z = 56;$ સમૂહ નં. $= 2^{nd},$ આવર્ત નં. $= 6^{th}$

Explore More

Similar Questions

નીચેના કોલમ જોડો:
કોલમ-$I$ કોલમ-$II$
$A$. આયનીકરણ એન્થાલ્પી $P$. $O < F < N$
$B$. વિદ્યુતઋણતા $Q$. $N < O < F$
$C$. $Z_{eff}$ $R$. $O < N < F$
$D$. ઇલેક્ટ્રોન પ્રાપ્તિ એન્થાલ્પી $S$. $N < C < O$

તત્વો $N$,$P$,$O$,અને $S$ ને નીચેના ક્રમમાં ગોઠવો:
$(i)$ પ્રથમ આયનીકરણ એન્થાલ્પીમાં વધારો.
$(ii)$ અધાત્વીય ગુણધર્મમાં વધારો.
આ ગોઠવણી માટેનું કારણ આપો.

એક તત્વની ઇલેક્ટ્રોનિક રચના $1s^2 2s^2 2p^6 3s^2 3p^4$ છે. તેનો આવર્ત,સમૂહ અને બ્લોક જણાવો.

નીચેનામાંથી કયું વિધાન ખોટું છે?

$B$,$Al$,$C$,અને $Si$ તત્વો પૈકી,
$(a)$ કયા તત્વની પ્રથમ આયનીકરણ એન્થાલ્પી સૌથી વધુ છે?
$(b)$ કયા તત્વમાં સૌથી વધુ ધાત્વીય ગુણધર્મ છે? દરેક કિસ્સામાં તમારા જવાબનું સમર્થન કરો.

Vedclass Products

For Students

Vedclass Test Series

Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.

Start Free Trial
For Teachers

Exam Paper Generator

Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.

Try Free
For Institutes

Online Exam Module

Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.

See Demo