નીચેનામાંથી કયા આઈસોઈલેક્ટ્રોનિક આયન પાસે સૌથ | vedclass

Name: Exam Paper Generator | JEE NEET Paper Generator | Vedclass
Brand: Vedclass
Rating: 5 (35 reviews)

Question

(D) આપેલા તમામ આયનો ($K^{+}$,$Cl^{-}$,$Ca^{2+}$,$S^{2-}$) $18$ ઇલેક્ટ્રોન સાથે આઈસોઈલેક્ટ્રોનિક છે.આયનીકરણ ઉર્જા એ અસરકારક કેન્દ્રીય વીજભાર અને આયન પર

Vedclass · Accepted Answer

$S^{2-}$

Vedclass · Answer

(D) આપેલા તમામ આયનો ($K^{+}$,$Cl^{-}$,$Ca^{2+}$,$S^{2-}$) $18$ ઇલેક્ટ્રોન સાથે આઈસોઈલેક્ટ્રોનિક છે.આયનીકરણ ઉર્જા એ અસરકારક કેન્દ્રીય વીજભાર અને આયન પરના ચોખ્ખા વીજભાર પર આધાર રાખે છે.ઋણ વીજભારિત સ્પીસીઝમાંથી ઇલેક્ટ્રોન દૂર કરવો એ તટસ્થ અથવા ધન વીજભારિત સ્પીસીઝ કરતા સરળ છે,કારણ કે તેમાં ઇલેક્ટ્રોન-ઇલેક્ટ્રોન વચ્ચેનું અપાકર્ષણ વધારે હોય છે અને અસરકારક કેન્દ્રીય આકર્ષણ ઓછું હોય છે.આપેલા વિકલ્પોમાં,$S^{2-}$ પાસે સૌથી વધુ ઋણ વીજભાર છે,જે તેને ઇલેક્ટ્રોન ગુમાવવાનું સૌથી સરળ બનાવે છે.તેથી,$S^{2-}$ ની આયનીકરણ ઉર્જા સૌથી ઓછી છે.આમ,સાચો વિકલ્પ $D$ છે.

યાદી-$I$ ($IE_1, IE_2, IE_3$ in $kJ \ mol^{-1}$)	યાદી-$II$ (તત્વ)
$A$. $1510$	$1$. $H$
$B$. $495, 6500, 10200$	$2$. $Li$
$C$. $840, 1630, 13100$	$3$. $Be$
$D$. $600, 2050, 3100$	$4$. $B$

$I.P.$ \text{ વલણ}	કારણ
$A$. $N > O$	અર્ધ-ભરાયેલી ઇલેક્ટ્રોન રચના
$B$. $Zr < Hf$	લેન્થેનાઇડ સંકોચન
$C$. $Na > K$	$Z_{eff}$
$D$. $Al < Ga$	ટ્રાન્ઝિશન સંકોચન

નીચેનામાંથી કયા આઈસોઈલેક્ટ્રોનિક આયન પાસે સૌથી ઓછી આયનીકરણ ઉર્જા છે?

Similar Questions

$Li$ થી $F$ સુધીના આવર્તમાં,આયનીકરણ પોટેન્શિયલ

$Be$ અને $B$ ની પ્રથમ આયનીકરણ એન્થાલ્પી $(eV)$ અનુક્રમે કેટલી છે :-

$C$,$N$,$O$,અને $F$ ની દ્વિતીય આયનીકરણ ઉર્જાનો સાચો ક્રમ કયો છે :-

Vedclass Test Series

Exam Paper Generator

Online Exam Module