$LED$ के मामले में निम्नलिखित में से कौन सा कथन सही नहीं है?

  • A
    यह एक अत्यधिक डोपित (heavily doped) $p-n$ जंक्शन डायोड है।
  • B
    यह केवल अग्र अभिनत (forward biased) होने पर ही प्रकाश उत्सर्जित करता है।
  • C
    यह केवल पश्च अभिनत (reverse biased) होने पर ही प्रकाश उत्सर्जित करता है।
  • D
    उत्सर्जित प्रकाश की ऊर्जा उपयोग किए गए अर्धचालक के ऊर्जा अंतराल (energy gap) के बराबर या उससे थोड़ी कम होती है।

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एक फोटोडायोड की चालकता केवल तभी बदलती है जब आपतित प्रकाश की तरंगदैर्ध्य < 660 \, nm हो। फोटोडायोड का बैंड गैप $\left(\frac{x}{8}\right) eV$ पाया जाता है। $x$ का मान है: (दिया गया है, $h=6.6 \times 10^{-34} \, Js, c=3 \times 10^8 \, m/s, e=1.6 \times 10^{-19} \, C$)

$LED$ के संबंध में निम्नलिखित में से कौन सा कथन 'गलत' है?

पदार्थ $A$ का उपयोग करके सौर विकिरण के emf में कुशल रूपांतरण के लिए एक सौर सेल बनाया जाना है। सौर सेल को पदार्थ $B$ के कोटिंग की मदद से यांत्रिक रूप से सुरक्षित किया जाना है। यदि पदार्थों $A$ और $B$ की बैंड गैप ऊर्जा क्रमशः $E_{A}$ और $E_{B}$ है,तो सौर सेल के बेहतर प्रदर्शन के लिए निम्नलिखित में से कौन सा विकल्प इष्टतम है?

कथन: रिवर्स बायस वाले $p-n$ जंक्शन का उपयोग प्रकाश की तीव्रता को मापने के लिए फोटो-डायोड के रूप में किया जा सकता है।
कारण: रिवर्स बायस स्थिति में धारा कम होती है लेकिन यह आपतित प्रकाश की तीव्रता में परिवर्तन के प्रति अधिक संवेदनशील होती है।

जब प्रकाश एक $p-n$ जंक्शन डायोड पर पड़ता है,तो धारा $I$ बनाम वोल्टेज $V$ को नीचे दिए गए चित्र के अनुसार देखा जाता है। डायोड किस चतुर्थांश (quadrant) में शक्ति उत्पन्न करता है,ताकि इसका उपयोग सौर सेल के रूप में किया जा सके?

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