निम्नलिखित में से कौन सा कथन सत्य नहीं है?
- Aतापमान में वृद्धि के साथ एक आंतरिक (intrinsic) अर्धचालक का प्रतिरोध कम हो जाता है।
- Bशुद्ध $Si$ में त्रिसंयोजी (trivalent) अशुद्धियों को मिलाने से $p$-प्रकार का अर्धचालक प्राप्त होता है।
- C$n$-प्रकार के अर्धचालकों में बहुसंख्यक वाहक (majority carriers) होल होते हैं।
- Dएक $p-n$ जंक्शन अर्धचालक डायोड के रूप में कार्य कर सकता है।
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$P$-प्रकार के अर्धचालक में, स्वीकर्ता (acceptor) ऊर्जा स्तर $E_A$ वैलेंस बैंड के ऊपर $57 \, meV$ पर स्थित है। होल बनाने के लिए आवश्यक अधिकतम तरंगदैर्ध्य ....... $\mathring{A}$ है। (दिया है: $h = 6.6 \times 10^{-34} \, J \, s$, $c = 3 \times 10^8 \, m/s$, $1 \, eV = 1.6 \times 10^{-19} \, J$)
Difficult
View Solutionजर्मेनियम के एक नमूने में,अशुद्धि के रूप में गैलियम की सूक्ष्म मात्रा मिलाई जाती है। परिणामी नमूना किस प्रकार व्यवहार करेगा?
$N$-प्रकार के जर्मेनियम में इलेक्ट्रॉन गतिशीलता (mobility) $3900 \ cm^2/V \cdot s$ है और इसकी चालकता $6.24 \ mho/cm$ है। यदि होल्स का प्रभाव नगण्य है,तो अशुद्धि सांद्रता (impurity concentration) क्या होगी?
Medium
View Solutionशुद्ध अर्धचालक में अशुद्धियाँ मिलाने की प्रक्रिया को क्या कहा जाता है?
Easy
View Solution$P$-प्रकार के अर्धचालक किस अशुद्धि तत्व को मिलाकर बनाए जाते हैं?
Easy
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