$LED$ વિશે નીચેનામાંથી કયું વિધાન ખોટું છે?

સોલર સેલ માટે વપરાતા પદાર્થનો બેન્ડ ગેપ કેટલો હોવો જોઈએ?

એક $LED$ ને $pn$ જંકશનમાંથી બનાવવામાં આવે છે જે એક ચોક્કસ અર્ધવાહક પદાર્થ પર આધારિત છે,જેની એનર્જી ગેપ $1.9 \ eV$ છે. તો ઉત્સર્જિત પ્રકાશની તરંગલંબાઇ કેટલી હશે?

નીચેના વિધાનો $A$ અને $B$ ધ્યાનમાં લો અને સાચો જવાબ ઓળખો:
$A$. સોલર સેલ માટે,$I-V$ લાક્ષણિકતાઓ આપેલ આલેખના $IV$ ચરણમાં આવેલી છે.
$B$. રિવર્સ બાયસ્ડ $pn$ જંકશન ડાયોડમાં,$(\mu A)$ માં મપાતો પ્રવાહ મેજોરિટી ચાર્જ કેરિયર્સને કારણે હોય છે.

ફોટોડાયોડનો ઉપયોગ ઓપ્ટિકલ સિગ્નલો શોધવા માટે થાય છે. આ ડાયોડને પ્રાધાન્ય રૂપે રિવર્સ બાયસ મોડમાં ચલાવવામાં આવે છે કારણ કે:

$LED$ નો મહત્તમ રેટ કરેલ પાવર $2 \text{ mW}$ છે અને તે આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ $5 \text{ V}$ ના ઇનપુટ વોલ્ટેજ સાથે સર્કિટમાં વપરાય છે. ઝેનર ડાયોડનો બ્રેકડાઉન વોલ્ટેજ $1 \text{ V}$ છે. અવરોધ $R = 1 \text{ k}\Omega$ માંથી વહેતો પ્રવાહ $0.5 \text{ mA}$ છે. $LED$ ને નુકસાન ન થાય તે સુનિશ્ચિત કરવા માટે અવરોધ $R_S$ નું લઘુત્તમ મૂલ્ય . . . . . . $\text{k}\Omega$ છે.