શુદ્ધ અર્ધવાહકમાં $p$-પ્રકારનો અર્ધવાહક મેળવવા માટે કયા પ્રકારની અશુદ્ધિ ઉમેરવી જોઈએ?

જો $N_A$ એ ઉમેરવામાં આવેલા એક્સેપ્ટર પરમાણુઓની સંખ્યા ઘનતા હોય અને $N_D$ એ સેમિકન્ડક્ટરમાં ઉમેરવામાં આવેલા ડોનર પરમાણુઓની સંખ્યા ઘનતા હોય,અને $n_e$ તથા $n_h$ એ તેમાં રહેલા ઈલેક્ટ્રોન અને હોલની સંખ્યા ઘનતા હોય,તો:

$P$-પ્રકારના અર્ધવાહકો કયા અશુદ્ધિ તત્વને ઉમેરીને બનાવવામાં આવે છે?

$P$-પ્રકારના અર્ધવાહકમાં, એક્સેપ્ટર ઊર્જાસ્તર $E_A$ એ વેલેન્સ બૅન્ડની ઉપર $57 \, meV$ અંતરે આવેલું છે। હોલનું નિર્માણ કરવા માટે જરૂરી મહત્તમ તરંગલંબાઈ ....... $\mathring{A}$ છે। (આપેલ છે: $h = 6.6 \times 10^{-34} \, J \, s$, $c = 3 \times 10^8 \, m/s$, $1 \, eV = 1.6 \times 10^{-19} \, J$)

$p$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરનું એક્સેપ્ટર લેવલ વેલેન્સ બેન્ડથી $6 \ eV$ ઉપર છે. પ્રકાશની મહત્તમ તરંગલંબાઇ જે હોલ બનાવી શકે તે કેટલી હશે ($nm$ માં)? (આપેલ છે: $hc = 1242 \ eV \ nm$)

$P$-પ્રકારના અર્ધવાહકમાં ફોરબિડન ગૅપમાં વેલેન્સ બૅન્ડની નજીક જે ઊર્જાસ્તર બને છે,તેને ...