ટ્રાન્સફોર્મરની કાર્યપદ્ધતિ લખો.

(N/A) જ્યારે પ્રાથમિક ગૂંચળામાં એસી $(AC)$ વોલ્ટેજ લાગુ કરવામાં આવે છે,ત્યારે પરિણામી પ્રવાહ એક બદલાતું ચુંબકીય ફ્લક્સ ઉત્પન્ન કરે છે જે ગૌણ ગૂંચળા સાથે જોડાય છે અને તેમાં ઇલેક્ટ્રોમોટિવ ફોર્સ (emf) પ્રેરિત કરે છે.
પ્રેરિત emf નું મૂલ્ય ગૌણ ગૂંચળામાં રહેલા આંટાઓની સંખ્યા પર આધાર રાખે છે.
ધારો કે એક આદર્શ ટ્રાન્સફોર્મર છે જેમાં પ્રાથમિક ગૂંચળાનો અવરોધ નગણ્ય છે અને કોરમાં રહેલું તમામ ચુંબકીય ફ્લક્સ પ્રાથમિક અને ગૌણ બંને ગૂંચળાઓ સાથે જોડાયેલું છે.
જો ગૌણ ગૂંચળા સાથે કોઈ લોડ જોડાયેલ ન હોય અને $N_{p}$ તથા $N_{s}$ એ અનુક્રમે પ્રાથમિક અને ગૌણ ગૂંચળામાં આંટાઓની સંખ્યા હોય,તો પ્રાથમિક ગૂંચળામાં પ્રેરિત emf:
$\varepsilon_{p} = -N_{p} \frac{d \phi}{d t} \quad \dots (1)$
અને ગૌણ ગૂંચળામાં પ્રેરિત emf:
$\varepsilon_{s} = -N_{s} \frac{d \phi}{d t} \quad \dots (2)$
કારણ કે $\varepsilon_{p} = V_{p}$ અને $\varepsilon_{s} = V_{s}$,જ્યાં $V_{p}$ અને $V_{s}$ એ અનુક્રમે પ્રાથમિક અને ગૌણ ગૂંચળા પરના વોલ્ટેજ છે,સમીકરણ $(1)$ અને $(2)$ ને નીચે મુજબ લખી શકાય:
$V_{p} = -N_{p} \frac{d \phi}{d t}$ અને $V_{s} = -N_{s} \frac{d \phi}{d t}$
તેથી,$\frac{V_{s}}{V_{p}} = \frac{N_{s}}{N_{p}}$.
ઉપરોક્ત સંબંધ ત્રણ ધારણાઓ પર આધારિત છે:
$(1)$ પ્રાથમિક ગૂંચળાનો અવરોધ અને પ્રવાહ ખૂબ ઓછા છે.
$(2)$ સમાન ચુંબકીય ફ્લક્સ પ્રાથમિક અને ગૌણ બંને ગૂંચળાઓ સાથે જોડાય છે કારણ કે કોરમાંથી ખૂબ ઓછું ફ્લક્સ બહાર નીકળે છે.
$(3)$ ગૌણ ગૂંચળાનો પ્રવાહ ખૂબ ઓછો છે.
ગૌણ ગૂંચળામાં આંટાઓની સંખ્યા $N_{s}$ અને પ્રાથમિક ગૂંચળામાં આંટાઓની સંખ્યા $N_{p}$ ના ગુણોત્તરને ટ્રાન્સફોર્મેશન રેશિયો $\lambda$ કહેવામાં આવે છે.
જો ગૌણ ગૂંચળામાં પ્રાથમિક કરતા વધારે આંટા હોય $(N_{s} > N_{p})$,તો વોલ્ટેજ વધે છે. આ પ્રકારની ગોઠવણીને સ્ટેપ-અપ ટ્રાન્સફોર્મર કહેવામાં આવે છે.
જો ગૌણ ગૂંચળામાં પ્રાથમિક કરતા ઓછા આંટા હોય $(N_{s} < N_{p})$,તો $V_{s} < V_{p}$ થાય છે. આ પ્રકારની ગોઠવણીને સ્ટેપ-ડાઉન ટ્રાન્સફોર્મર કહેવામાં આવે છે,જેમાં વોલ્ટેજ ઘટાડવામાં આવે છે.