Al ની પ્રથમ આયનીકરણ એન્થાપી Mg કરતા ઓછી છે કા | vedclass

Name: Exam Paper Generator | JEE NEET Paper Generator | Vedclass
Brand: Vedclass
Rating: 5 (35 reviews)

Question

(D) $Mg$ $(Z=12)$ ની ઇલેક્ટ્રોન રચના $[Ne] 3s^2$ છે,જે સ્થાયી અને સંપૂર્ણ ભરાયેલી કક્ષક છે. $Al$ $(Z=13)$ ની ઇલેક્ટ્રોન રચના $[Ne] 3s^2 3p^1$ છે. $Mg$

Vedclass · Accepted Answer

$Mg$ પાસે સંપૂર્ણ ભરાયેલી $3s$ કક્ષક છે.

Vedclass · Answer

(D) $Mg$ $(Z=12)$ ની ઇલેક્ટ્રોન રચના $[Ne] 3s^2$ છે,જે સ્થાયી અને સંપૂર્ણ ભરાયેલી કક્ષક છે. $Al$ $(Z=13)$ ની ઇલેક્ટ્રોન રચના $[Ne] 3s^2 3p^1$ છે. $Mg$ માંથી ઇલેક્ટ્રોન દૂર કરવા માટે સ્થાયી $3s$ કક્ષકને તોડવી પડે છે,જેના માટે વધુ ઉર્જાની જરૂર પડે છે. $Al$ માં,ઇલેક્ટ્રોન $3p$ કક્ષકમાંથી દૂર થાય છે,જે $3s$ ઇલેક્ટ્રોન દ્વારા શીલ્ડ થયેલ છે અને $3s$ કક્ષક કરતા ઓછી સ્થાયી છે. તેથી,$Mg$ ની સ્થાયી ઇલેક્ટ્રોન રચનાને કારણે $Al$ ની પ્રથમ આયનીકરણ એન્થાપી $Mg$ કરતા ઓછી હોય છે.

$Al$ ની પ્રથમ આયનીકરણ એન્થાપી $Mg$ કરતા ઓછી છે કારણ કે .......................

Similar Questions

નીચેની ઇલેક્ટ્રોનિક રચનાઓ ધરાવતા તત્વોમાંથી,કોની આયનીકરણ ઉર્જા સૌથી વધુ હોઈ શકે છે?

પ્રથમ આયનીકરણ એન્થાલ્પીનો સાચો ક્રમ નીચેનામાંથી ક્યો છે?
$(i) \ Li < B < Be < C$ $(ii) \ O < N < F$ $(iii) \ Be < N < Ne$

નીચેના તત્વોમાંથી કોની બીજી આયનીકરણ એન્થાલ્પી (second ionisation potential) સૌથી વધુ છે?

નીચેનામાંથી કઈ ઇલેક્ટ્રોનિક રચના ધરાવતા તત્વનું આયનીકરણ પોટેન્શિયલ (ionization potential) લઘુત્તમ છે?

Vedclass Test Series

Exam Paper Generator

Online Exam Module