द्विविमीय षट्कोणीय निविड संकुलित परत से त्रिविमीय निविड संकुलित संरचना के निर्माण के दौरान रिक्तियों (voids) की व्याख्या कीजिए।
- Aकेवल चतुष्फलकीय रिक्तियों का निर्माण
- Bकेवल अष्टफलकीय रिक्तियों का निर्माण
- Cचतुष्फलकीय और अष्टफलकीय दोनों रिक्तियों का निर्माण
- Dकोई रिक्ति नहीं बनती है
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हेक्सागोनल क्लोज पैकिंग $(hcp)$ और क्यूबिक क्लोज पैकिंग $(ccp)$ या फेस-सेंटर्ड क्यूबिक $(fcc)$ संरचनाओं को समझाइए।
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View Solution$Ga$ (परमाणु द्रव्यमान $70 \, u$) षट्कोणीय क्लोज़ पैक्ड $(HCP)$ संरचना में क्रिस्टलीकृत होता है। $0.581 \, g$ $Ga$ में रिक्तियों (voids) की कुल संख्या $\dots \dots \dots \dots \dots \times 10^{21}$ है। (निकटतम पूर्णांक में पूर्णांकित करें)।
एक क्रिस्टलीय ठोस में,ऋणायन $B$,$ccp$ जालक में व्यवस्थित हैं और धनायन $A$,अष्टफलकीय रिक्तियों का $50\%$ और चतुष्फलकीय रिक्तियों का $50\%$ भाग घेरते हैं। क्रिस्टलीय ठोस का सूत्र क्या होगा?
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