$1.4 \ eV$ ના બેન્ડ ગેપ ધરાવતા સેમિકન્ડક્ટર (અર્ધવાહક) માંથી $p-n$ ફોટોડાયોડ બનાવવામાં આવે છે. તે કઈ તરંગલંબાઇના સિગ્નલને શોધી શકે છે?

એક ફોટોડીટેકટર $E_g = 0.73 \, eV$ બેન્ડ ગેપ ધરાવતા અર્ધવાહકમાંથી બનાવવામાં આવ્યું છે. તે મહત્તમ કેટલી તરંગલંબાઈ ($nm$ માં) શોધી શકે છે?

સૌર ઊર્જા પર કામ કરતા ઉપકરણોને ઓળખો.
$(a)$ ફોટોડાયોડ
$(b)$ ફોટોવોલ્ટેઇક સેલ
$(c)$ $LED$
$(d)$ ફોટો-થર્મલ ઉપકરણો

કયા પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટર ઉપકરણને કોઈ બાયસ વોલ્ટેજની જરૂર પડતી નથી?

નીચે બે વિધાનો આપેલા છે: એકને વિધાન $A$ (Assertion) તરીકે અને બીજાને કારણ $R$ (Reason) તરીકે લેબલ કરવામાં આવ્યું છે.
વિધાન $A$: પ્રકાશની તીવ્રતા માપવા માટે ફોટોડાયોડને રિવર્સ બાયસ સ્થિતિમાં ચલાવવામાં આવે છે.
કારણ $R$: $p-n$ જંકશન ડાયોડ માટે ફોરવર્ડ બાયસમાં પ્રવાહ રિવર્સ બાયસ કરતા વધારે હોય છે.
ઉપરોક્ત વિધાનોના પ્રકાશમાં,નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સાચો જવાબ પસંદ કરો:

લાઈટ એમિટિંગ ડાયોડ $(LED)$ ની રચના,કાર્યપદ્ધતિ,ઉપયોગો અને ફાયદાઓ સમજાવો.