1.4 eV के बैंड गैप वाले अर्धचालक (semiconduc | vedclass

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Question

(B) सिग्नल का पता लगाने के लिए,आपतित फोटॉन की ऊर्जा अर्धचालक के बैंड गैप ऊर्जा के बराबर या उससे अधिक होनी चाहिए।$E_{ph} \geq E_g$चूंकि $E_{ph} = \frac

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$8000 \ \mathring{A}$

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(B) सिग्नल का पता लगाने के लिए,आपतित फोटॉन की ऊर्जा अर्धचालक के बैंड गैप ऊर्जा के बराबर या उससे अधिक होनी चाहिए।$E_{ph} \geq E_g$चूंकि $E_{ph} = \frac{hc}{\lambda}$,इसलिए $\frac{hc}{\lambda} \geq E_g$,जिसका अर्थ है $\lambda \leq \frac{hc}{E_g}$।संबंध $\lambda (\mathring{A} 	ext{ में}) \approx \frac{12400}{E_g (eV 	ext{ में})}$ का उपयोग करते हुए,$E_g = 1.4 \ eV$ रखने पर:$\lambda \leq \frac{12400}{1.4} \ \mathring{A} \approx 8857 \ \mathring{A}$।दिए गए विकल्पों में से,$8000 \ \mathring{A}$ तरंगदैर्ध्य वाला सिग्नल $8857 \ \mathring{A}$ से कम है,इसलिए इसका पता लगाया जा सकता है।

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