એક શુદ્ધ $Si$ સ્ફટિકમાં $4 \times 10^{28}$ પરમાણુઓ પ્રતિ $m^3$ છે. તેને $1 \text{ ppm}$ એન્ટિમનીની સાંદ્રતા સાથે ડોપ કરવામાં આવે છે. ઉપલબ્ધ મુક્ત ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા કેટલી હશે?

$n$-ટાઈપ સેમિકન્ડક્ટરમાં, ફર્મી એનર્જી લેવલ ક્યાં હોય છે?

$p$-ટાઈપ સેમિકન્ડક્ટર અને $n$-ટાઈપ સેમિકન્ડક્ટર વચ્ચેનો તફાવત દર્શાવતા ચાર મુદ્દાઓ લખો.

$1\,cm^{2}$ ક્ષેત્રફળ અને $0.5\,mm$ જાડાઈ ધરાવતી $Ge$ ક્રિસ્ટલ પ્લેટની વિરુદ્ધ બાજુઓ વચ્ચે $2\,V$ નો વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત લાગુ કરવામાં આવે છે. જો $Ge$ માં ઇલેક્ટ્રોનની સાંદ્રતા $2 \times 10^{19}/m^{3}$ હોય અને ઇલેક્ટ્રોન તથા હોલની મોબિલિટી અનુક્રમે $0.36\,m^{2}/(V\cdot s)$ અને $0.14\,m^{2}/(V\cdot s)$ હોય,તો પ્લેટમાંથી વહેતો પ્રવાહ કેટલો હશે ($,A$ માં)?

જો $N_A$ એ ઉમેરવામાં આવેલા એક્સેપ્ટર પરમાણુઓની સંખ્યા ઘનતા હોય અને $N_D$ એ સેમિકન્ડક્ટરમાં ઉમેરવામાં આવેલા ડોનર પરમાણુઓની સંખ્યા ઘનતા હોય,અને $n_e$ તથા $n_h$ એ તેમાં રહેલા ઈલેક્ટ્રોન અને હોલની સંખ્યા ઘનતા હોય,તો:

શુદ્ધ સિલિકોનના નમૂનામાં $10^{13} \text{ atoms/cm}^3$ ફોસ્ફરસ ઉમેરવામાં આવે છે. જો બધા જ ડોનર પરમાણુઓ સક્રિય હોય,તો $20 ^oC$ તાપમાને અવરોધકતા (resistivity) કેટલી હશે? જો ઇલેક્ટ્રોનની મોબિલિટી $1200 \text{ cm}^2/\text{V} \cdot \text{s}$ હોય. ($\Omega \cdot \text{cm}$ માં)