$p$-ટાઈપ સેમિકન્ડક્ટર અને $n$-ટાઈપ સેમિકન્ડક્ટર વચ્ચેનો તફાવત દર્શાવતા ચાર મુદ્દાઓ લખો.

$n$-પ્રકાર અને $p$-પ્રકારના અર્ધવાહક શુદ્ધ સિલિકોનમાં અનુક્રમે કોનું ડોપિંગ (doping) કરીને મેળવી શકાય છે?

$n-$ પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરમાં,નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું છે?

જો $N_h$ અને $N_e$ એ બાહ્ય (extrinsic) અર્ધવાહકમાં અનુક્રમે હોલ અને વાહક ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા હોય,તો:

$N-$ પ્રકારનો સેમિકન્ડક્ટર કેવો હોય છે?

$1\,cm^{2}$ ક્ષેત્રફળ અને $0.5\,mm$ જાડાઈ ધરાવતી $Ge$ ક્રિસ્ટલ પ્લેટની વિરુદ્ધ બાજુઓ વચ્ચે $2\,V$ નો વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત લાગુ કરવામાં આવે છે. જો $Ge$ માં ઇલેક્ટ્રોનની સાંદ્રતા $2 \times 10^{19}/m^{3}$ હોય અને ઇલેક્ટ્રોન તથા હોલની મોબિલિટી અનુક્રમે $0.36\,m^{2}/(V\cdot s)$ અને $0.14\,m^{2}/(V\cdot s)$ હોય,તો પ્લેટમાંથી વહેતો પ્રવાહ કેટલો હશે ($,A$ માં)?