$n-$ પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરમાં,નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું છે?

જો $n_{e}$ અને $n_{h}$ એ અર્ધવાહકમાં ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની સાંદ્રતા હોય,તો ઉષ્મીય સંતુલનમાં આંતરિક વાહક સાંદ્રતા $(n_i)$ કેટલી થાય?

એક સેમિકન્ડક્ટરમાં,$27^{\circ} \text{C}$ તાપમાને આંતરિક ચાર્જ કેરિયર્સની સંખ્યા ઘનતા $1.5 \times 10^{16} \, \text{m}^{-3}$ છે. જો સેમિકન્ડક્ટરમાં અશુદ્ધિ પરમાણુઓ ઉમેરવામાં આવે,તો હોલની ઘનતા વધીને $4.5 \times 10^{22} \, \text{m}^{-3}$ થાય છે. ડોપ્ડ સેમિકન્ડક્ટરમાં ઇલેક્ટ્રોનની ઘનતા $..... \times 10^{9} \, \text{m}^{-3}$ છે.

$m^{3}$ દીઠ સિલિકોન પરમાણુઓની સંખ્યા $5 \times 10^{28}$ છે. આમાં $5 \times 10^{22}$ પરમાણુઓ પ્રતિ $m^{3}$ આર્સેનિક અને $5 \times 10^{20}$ પરમાણુઓ પ્રતિ $m^{3}$ ઇન્ડિયમનું એકસાથે ડોપિંગ કરવામાં આવે છે. ઇલેક્ટ્રોન અને હોલ્સની સંખ્યાની ગણતરી કરો. આપેલ છે કે $n_{i} = 1.5 \times 10^{16} \; m^{-3}$. શું આ પદાર્થ $n$-ટાઈપ છે કે $p$-ટાઈપ?

શુદ્ધ અર્ધવાહકની વાહકતા શેના દ્વારા વધારી શકાય છે?

$P$-પ્રકારના $Si$ સેમિકન્ડક્ટર મેળવવા માટે,આપણે શુદ્ધ $Si$ માં શેનું ડોપિંગ કરવું જોઈએ?