જો $N_h$ અને $N_e$ એ બાહ્ય (extrinsic) અર્ધવાહકમાં અનુક્રમે હોલ અને વાહક ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા હોય,તો:

એનર્જી બેન્ડ થીયરીના આધારે $n$-પ્રકાર અને $p$-પ્રકારના અર્ધવાહકો સમજાવો.

$6.4 \ \Omega^{-1} \ cm^{-1}$ વાહકતા ધરાવતો $n$-પ્રકારનો સેમિકન્ડક્ટર બનાવવા માટે શુદ્ધ જર્મેનિયમ સેમિકન્ડક્ટરમાં ઉમેરવા પડતા ડોનર પરમાણુઓની સંખ્યા ઘનતા કેટલી હશે? $n$-પ્રકારના જર્મેનિયમમાં ઇલેક્ટ્રોનની મોબિલિટી $4 \times 10^3 \ cm^2 \ V^{-1} \ s^{-1}$ છે. વાહકતામાં હોલ્સના ફાળાને અવગણો.

જર્મેનિયમ ક્રિસ્ટલ પ્લેટની સપાટીઓ પર $2.5 \,V$ નો પોટેન્શિયલ તફાવત લાગુ કરવામાં આવે છે. ક્રિસ્ટલનું ક્ષેત્રફળ $1 \,cm^2$ છે અને તેની જાડાઈ $1.0 \,mm$ છે. જર્મેનિયમમાં મુક્ત ઇલેક્ટ્રોન સાંદ્રતા $2 \times 10^{19} \,m^{-3}$ છે અને ઇલેક્ટ્રોન તથા હોલની મોબિલિટી અનુક્રમે $0.33 \,m^2/V \cdot s$ અને $0.17 \,m^2/V \cdot s$ છે. પ્લેટમાંથી વહેતો પ્રવાહ .......... $A$ હશે.

અર્ધવાહકમાં ઇલેક્ટ્રોનની મોબિલિટીને તેમના ડ્રિફ્ટ વેગ અને લાગુ કરેલા વિદ્યુતક્ષેત્રના ગુણોત્તર તરીકે વ્યાખ્યાયિત કરવામાં આવે છે. જો $n$-પ્રકારના અર્ધવાહક માટે,ઇલેક્ટ્રોનની ઘનતા $10^{19} \ m^{-3}$ હોય અને તેમની મોબિલિટી $1.6 \ m^2/(V \cdot s)$ હોય,તો અર્ધવાહકની અવરોધકતા (કારણ કે તે $n$-પ્રકારનો અર્ધવાહક છે,હોલ્સનું યોગદાન અવગણવામાં આવે છે) ................ $\Omega \cdot m$ ની નજીક છે.

જ્યારે અર્ધવાહકની વાહકતા માત્ર સહસંયોજક બંધ તૂટવાને કારણે હોય,ત્યારે તે અર્ધવાહકને શું કહેવામાં આવે છે?