અર્ધવાહકમાં ઇલેક્ટ્રોનની મોબિલિટીને તેમના ડ્રિફ્ટ વેગ અને લાગુ કરેલા વિદ્યુતક્ષેત્રના ગુણોત્તર તરીકે વ્યાખ્યાયિત કરવામાં આવે છે. જો $n$-પ્રકારના અર્ધવાહક માટે,ઇલેક્ટ્રોનની ઘનતા $10^{19} \ m^{-3}$ હોય અને તેમની મોબિલિટી $1.6 \ m^2/(V \cdot s)$ હોય,તો અર્ધવાહકની અવરોધકતા (કારણ કે તે $n$-પ્રકારનો અર્ધવાહક છે,હોલ્સનું યોગદાન અવગણવામાં આવે છે) ................ $\Omega \cdot m$ ની નજીક છે.

  • A
    $2$
  • B
    $4$
  • C
    $0.4$
  • D
    $0.2$

Explore More

Similar Questions

$6.4 \ \Omega^{-1} \ cm^{-1}$ વાહકતા ધરાવતો $n$-પ્રકારનો સેમિકન્ડક્ટર બનાવવા માટે શુદ્ધ જર્મેનિયમ સેમિકન્ડક્ટરમાં ઉમેરવા પડતા ડોનર પરમાણુઓની સંખ્યા ઘનતા કેટલી હશે? $n$-પ્રકારના જર્મેનિયમમાં ઇલેક્ટ્રોનની મોબિલિટી $4 \times 10^3 \ cm^2 \ V^{-1} \ s^{-1}$ છે. વાહકતામાં હોલ્સના ફાળાને અવગણો.

આંતરિક (intrinsic) સેમિકન્ડક્ટરમાં કુલ પ્રવાહનું સૂત્ર લખો.

$300 \ K$ તાપમાને શુદ્ધ સિલિકોન સ્ફટિકમાં ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની સાંદ્રતા સમાન $1.5 \times 10^{16} \ m^{-3}$ છે. ઇન્ડિયમ દ્વારા ડોપિંગ કરવાથી $n_h = 4.5 \times 10^{22} \ m^{-3}$ થાય છે. તો ડોપ્ડ સિલિકોનમાં $n_e$ કેટલું હશે?

એક શુદ્ધ સેમિકન્ડક્ટર ક્રિસ્ટલમાં $5 \times 10^{22}$ પરમાણુઓ પ્રતિ $cm^3$ છે. તેને $1$ ppm સાંદ્રતા ધરાવતા પેન્ટાવેલેન્ટ તત્વ સાથે ડોપ કરવામાં આવે છે. ડોપ્ડ સેમિકન્ડક્ટરમાં હોલ્સની સંખ્યા શોધો (આપેલ છે કે $n_i = 1.5 \times 10^{10} cm^{-3}$):

સેમિકન્ડક્ટરનું ડોપિંગ (નાના અશુદ્ધિ પરમાણુઓ સાથે) સામાન્ય રીતે અવરોધકતામાં નીચે મુજબ ફેરફાર કરે છે.

Vedclass Products

For Students

Vedclass Test Series

Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.

Start Free Trial
For Teachers

Exam Paper Generator

Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.

Try Free
For Institutes

Online Exam Module

Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.

See Demo