$300 \ K$ તાપમાને શુદ્ધ સિલિકોન સ્ફટિકમાં ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની સાંદ્રતા સમાન $1.5 \times 10^{16} \ m^{-3}$ છે. ઇન્ડિયમ દ્વારા ડોપિંગ કરવાથી $n_h = 4.5 \times 10^{22} \ m^{-3}$ થાય છે. તો ડોપ્ડ સિલિકોનમાં $n_e$ કેટલું હશે?

• A
  $5 \times 10^9 \ m^{-3}$
• B
  $2.25 \times 10^{10} \ m^{-3}$
• C
  $3 \times 10^{12} \ m^{-3}$
• D
  $9 \times 10^6 \ m^{-3}$