n-ટાઈપ સેમિકન્ડક્ટરમાં,ઈલેક્ટ્રોન મેજોરિટી ચા | vedclass

Name: Exam Paper Generator | JEE NEET Paper Generator | Vedclass
Brand: Vedclass
Rating: 5 (35 reviews)

Question

(D) $n$-ટાઈપ સેમિકન્ડક્ટરમાં,ભલે ઈલેક્ટ્રોન મેજોરિટી ચાર્જ કેરિયર્સ હોય,પરંતુ સમગ્ર પદાર્થ વિદ્યુતની દ્રષ્ટિએ તટસ્થ રહે છે.આનું કારણ એ છે કે સેમિકન્ડક

Vedclass · Accepted Answer

પરમાણુ વિદ્યુતની દ્રષ્ટિએ તટસ્થ છે

Vedclass · Answer

(D) $n$-ટાઈપ સેમિકન્ડક્ટરમાં,ભલે ઈલેક્ટ્રોન મેજોરિટી ચાર્જ કેરિયર્સ હોય,પરંતુ સમગ્ર પદાર્થ વિદ્યુતની દ્રષ્ટિએ તટસ્થ રહે છે.આનું કારણ એ છે કે સેમિકન્ડક્ટર સ્ફટિક એવા પરમાણુઓનો બનેલો છે જે વિદ્યુતની દ્રષ્ટિએ તટસ્થ હોય છે,જેમાં ન્યુક્લિયસમાં પ્રોટોન અને કક્ષામાં ઈલેક્ટ્રોનની સંખ્યા સમાન હોય છે.જ્યારે $n$-ટાઈપ સેમિકન્ડક્ટર બનાવવા માટે પેન્ટાવેલેન્ટ અશુદ્ધિ ઉમેરવામાં આવે છે,ત્યારે ઉમેરવામાં આવેલ અશુદ્ધિનો પરમાણુ પોતે પણ વિદ્યુતની દ્રષ્ટિએ તટસ્થ હોય છે.તેથી,મુક્ત ઈલેક્ટ્રોનનો કુલ ઋણ વીજભાર એ સ્ફટિક લેટીસમાં રહેલા આયનાઈઝ્ડ ડોનર પરમાણુઓ અને પ્રોટોનના કુલ ધન વીજભાર દ્વારા બરાબર સંતુલિત થાય છે.

Similar Questions

$P$-પ્રકારના $Si$ સેમિકન્ડક્ટર મેળવવા માટે,આપણે શુદ્ધ $Si$ માં શેનું ડોપિંગ કરવું જોઈએ?

જ્યારે સિલિકોનમાં અશુદ્ધિ તરીકે આર્સેનિક ઉમેરવામાં આવે છે,ત્યારે મળતું દ્રવ્ય કયું છે?

નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું છે? $p$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરને શેના વડે ડોપ કરવામાં આવે છે?

શુદ્ધ અર્ધવાહકમાં $p$-પ્રકારનો અર્ધવાહક મેળવવા માટે કયા પ્રકારની અશુદ્ધિ ઉમેરવી જોઈએ?

Vedclass Test Series

Exam Paper Generator

Online Exam Module