એક કણને $H$ ઊંચાઈ પરથી નીચે પાડવામાં આવે છે. કણની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ ઊંચાઈ પર કેવી રીતે આધાર રાખે છે?

$V$ જેટલા વિદ્યુતસ્થિતિમાનના તફાવતથી પ્રવેગિત થતા ઇલેક્ટ્રોન સાથે સંકળાયેલી ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ $\lambda_e$ છે અને તેટલા જ વિદ્યુતસ્થિતિમાનના તફાવતથી પ્રવેગિત થતા પ્રોટોન સાથે સંકળાયેલી ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ $\lambda_p$ છે. જો તેમના અનુક્રમે દળ $m_e$ અને $m_p$ હોય, તો તેમની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈનો ગુણોત્તર . . . . . . છે.

ઇલેક્ટ્રોન માઇક્રોસ્કોપ વિશે નોંધ લખો.

ઈલેક્ટ્રોન માટે દ બ્રોગ્લી સમીકરણ શું દર્શાવે છે?

જ્યારે ઇલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જામાં વધારો કરવામાં આવે છે,ત્યારે તેની સાથે સંકળાયેલ તરંગની તરંગલંબાઈ

એક ઇલેક્ટ્રોન ક્ષેત્રમાંથી પસાર થઈ રહ્યો છે. તે આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ $(i)$ વિદ્યુતક્ષેત્રની વિરુદ્ધ દિશામાં અને $(ii)$ ચુંબકીય ક્ષેત્રને લંબ ગતિ કરે છે. દરેક પરિસ્થિતિ માટે ઇલેક્ટ્રોનની દ-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ નક્કી કરો: