$8 \mu g$ દળનો એક ગતિશીલ કણ $4 \mu g$ દળના સ્થિર કણ સાથે અથડાય છે। જો અથડામણ સંપૂર્ણ સ્થિતિસ્થાપક અને એકપરિમાણીય હોય, તો અથડામણ પછી તેમની દ-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈનો ગુણોત્તર કેટલો હશે ($2 : 1$ માં)?

એક ઇલેક્ટ્રોનને કેટલા સ્થિતિમાન (potential) થી પ્રવેગિત કરવો જોઈએ જેથી તેની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ $He^+$ આયન માટે લાયમન શ્રેણીની પ્રથમ રેખાની તરંગલંબાઈ જેટલી થાય?

દ-બ્રોગ્લી તરંગો ગતિ કરતાં કણો સાથે સંકળાયેલા છે. આ કણો ....... હોઈ શકે.

સોડિયમની વર્ણપટ ઉત્સર્જન રેખામાંથી મળતા પ્રકાશની તરંગલંબાઈ $589 \; nm$ છે. તે ગતિઊર્જા શોધો કે જેના પર
$(a)$ એક ઇલેક્ટ્રોન,અને
$(b)$ એક ન્યુટ્રોન,સમાન ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ ધરાવતા હોય.

જો કોઈ કણની ગતિઊર્જા તેના અગાઉના મૂલ્ય કરતા $16$ ગણી કરવામાં આવે,તો કણની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઇમાં થતો ટકાવારી ફેરફાર કેટલો હશે?

ઇલેક્ટ્રોનને $V$ જેટલા વિદ્યુતસ્થિતિમાનના તફાવત દ્વારા અને પ્રોટોનને $4V$ જેટલા વિદ્યુતસ્થિતિમાનના તફાવત દ્વારા પ્રવેગિત કરવામાં આવે છે. ઇલેક્ટ્રોન અને પ્રોટોન માટે ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઇ અનુક્રમે $\lambda_e$ અને $\lambda_p$ છે. $\frac{\lambda_e}{\lambda_p}$ નો ગુણોત્તર કેટલો થાય? (અહીં $m_e$ એ ઇલેક્ટ્રોનનું દળ અને $m_p$ એ પ્રોટોનનું દળ છે).