$10.5 \ eV$ ઉર્જા ધરાવતા ફોટોનનો બીમ એક ધાતુની પ્લેટ પર આપાત થાય છે. ફોટોઈલેક્ટ્રોન $1.6 \times 10^6 \ m \ s^{-1}$ ના મહત્તમ વેગ સાથે ઉત્સર્જિત થાય છે. ધાતુનું વર્ક ફંક્શન કેટલું હશે ($eV$ માં)? (ઈલેક્ટ્રોનનું દળ $= 9 \times 10^{-31} \ kg$ અને ઈલેક્ટ્રોનનો વીજભાર $= 1.6 \times 10^{-19} \ C$ લો).

$\phi_0$ વર્ક-ફંક્શન ધરાવતા ફોટોઈલેક્ટ્રિક પદાર્થ પર $\lambda$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે છે (જ્યાં $\lambda < \frac{hc}{\phi_0}$). સૌથી ઝડપી ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ $\lambda_d$ છે. આપાત પ્રકાશની તરંગલંબાઈમાં $\Delta \lambda$ જેટલો ફેરફાર થવાથી $\lambda_d$ માં $\Delta \lambda_d$ જેટલો ફેરફાર થાય છે. તો ગુણોત્તર $\frac{\Delta \lambda_d}{\Delta \lambda}$ કોના સમપ્રમાણમાં છે?

જ્યારે એક પ્રકાશસંવેદી સપાટી પર $\lambda_1$ અને $\lambda_2$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા અનુક્રમે $E_1$ અને $E_2$ છે. પ્રકાશસંવેદી સપાટીનું કાર્ય વિધેય (work function) કેટલું હશે?

જ્યારે $3f$ આવૃત્તિનો પ્રકાશ $2hf$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ફોટોસેન્સિટિવ સપાટી પર આપાત થાય છે,ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોન મહત્તમ $v$ વેગ સાથે ઉત્સર્જિત થાય છે. જો આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ $4.25f$ હોય,તો ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ કેટલો હશે? ($h$ = પ્લાન્કનો અચળાંક).

જ્યારે $400 \ nm$ તરંગલંબાઈ ધરાવતું વિકિરણ ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા $1.68 \ eV$ છે. ધાતુનું વર્કફંકશન .......... $eV$ છે.

જ્યારે આપાત વિકિરણની ઉર્જામાં $20\%$ નો વધારો કરવામાં આવે છે,ત્યારે ધાતુની સપાટીમાંથી ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ગતિ ઉર્જા $0.5\, eV$ થી વધીને $0.8\, eV$ થાય છે. ધાતુનું કાર્ય વિધેય ............. $eV$ છે.