$2.8 \ eV$ के बैंड गैप वाले अर्धचालक से एक $p-n$ जंक्शन बनाया गया है। यह किस अनुमानित तरंगदैर्ध्य का पता नहीं लगा सकता है ($nm$ में)?
[ $h = 6 \times 10^{-34} \ J \cdot s$ और $c = 3 \times 10^8 \ m/s$ का उपयोग करें ]

फॉरवर्ड बायस में धारा $(\sim mA)$ का मान रिवर्स बायस $(\sim \mu A)$ की धारा से अधिक होता है। तो फिर फोटोडायोड को रिवर्स बायस में संचालित करने का क्या कारण है?

$LED$ के बारे में निम्नलिखित में से कौन सा कथन सत्य है?

एक $p-n$ फोटोडायोड $2.0\, eV$ के बैंड गैप वाले पदार्थ से बना है। इस पदार्थ द्वारा अवशोषित की जा सकने वाली विकिरण की न्यूनतम आवृत्ति लगभग कितनी होगी?

कथन $-I$: एक फोटोडायोड रिवर्स बायस में कार्य करता है।
कथन $-II$: माइनॉरिटी कैरियर द्वारा नियंत्रित रिवर्स बायस करंट पर फोटो-इफेक्ट के कारण होने वाला आंशिक परिवर्तन,फॉरवर्ड बायस करंट में होने वाले आंशिक परिवर्तन की तुलना में अधिक आसानी से मापने योग्य होता है।

$3 \ eV$ के बैंड गैप वाले अर्धचालक पदार्थ का उपयोग करके एक $CCD$ कैमरा बनाया गया है। यह जिस प्रकाश की तरंगदैर्ध्य का पता लगा सकता है,वह लगभग है ($nm$ में)