એક સેમિકન્ડક્ટરને અશુદ્ધિ તરીકે ફોસ્ફરસના પરમાણુઓ સાથે ડોપ કરવામાં આવે છે. સેમિકન્ડક્ટરમાં નિર્મિત અશુદ્ધિ સ્તરો કોની નજીક હોય છે?

ધારો કે $5 \times 10^{28} \text{ atoms/m}^3$ ધરાવતા $Si$ સ્ફટિકમાં $1 \text{ ppm}$ સાંદ્રતાના $As$ નું ડોપિંગ કરીને $n$-ટાઈપ વેફર બનાવવામાં આવે છે. આ વેફરમાં $p$-વિસ્તાર બનાવવા માટે સપાટી પર $200 \text{ ppm}$ બોરોન ઉમેરવામાં આવે છે. $n_i = 1.5 \times 10^{16} \text{ m}^{-3}$ ધ્યાનમાં લઈને,$(i)$ $n$ અને $p$ વિસ્તારોમાં વિદ્યુતભાર વાહકોની ઘનતા ગણો. $(ii)$ જ્યારે ડાયોડ રિવર્સ બાયસમાં હોય ત્યારે કયા વિદ્યુતભાર વાહકો રિવર્સ સેચ્યુરેશન કરંટમાં મોટો ફાળો આપશે તે જણાવો.

જ્યારે જર્મેનિયમમાં ફોસ્ફરસ અને એન્ટિમની ઉમેરવામાં આવે છે,ત્યારે:

અર્ધવાહકમાં ઇલેક્ટ્રોનને મેજોરિટી ચાર્જ કેરિયર તરીકે મેળવવા માટે,કઈ અશુદ્ધિ ઉમેરવામાં આવે છે?

$N$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટર્સમાં,મુખ્ય ચાર્જ કેરિયર્સ કયા છે?

જો અર્ધવાહકમાં ઈલેક્ટ્રોનની સંખ્યા ઘનતા અને હોલની સંખ્યા ઘનતાનો ગુણોત્તર $7/5$ હોય અને તેમના પ્રવાહોનો ગુણોત્તર $7/4$ હોય,તો તેમના ડ્રિફ્ટ વેગનો ગુણોત્તર કેટલો થાય?