एक अर्धचालक को अशुद्धि के रूप में फास्फोरस परमाणुओं के साथ डोप किया जाता है। अर्धचालक में निर्मित अशुद्धि स्तर किसके करीब होते हैं?

नैज (Intrinsic) और बाह्य (Extrinsic) अर्धचालक के बीच अंतर लिखिए।

कमरे के तापमान पर आंतरिक $Ge$ के एक नमूने में इलेक्ट्रॉनों और होल्स की गतिशीलता (mobilities) क्रमशः $0.35 \, m^2/V-s$ और $0.18 \, m^2/V-s$ है। यदि इलेक्ट्रॉन और होल घनत्व प्रत्येक $2.5 \times 10^{19} \, /m^3$ के बराबर हैं,तो $Ge$ की चालकता.....$S/m$ होगी। ($.12$ में)

$N$-प्रकार के अर्धचालक के लिए निम्नलिखित में से कौन सा कथन सत्य है?

मान लीजिए कि $n_e$ एक अर्धचालक में इलेक्ट्रॉनों की संख्या घनत्व है और $v_d$ अपवाह वेग (drift velocity) है। जब तापमान बढ़ाया जाता है:

कमरे के तापमान पर एक आंतरिक (intrinsic) अर्धचालक में इलेक्ट्रॉनों और होल्स की संख्या होती है: