હવામાં પ્લેટો ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $1.0 \text{ pF}$ છે. જો પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર બમણું કરવામાં આવે અને તેમની વચ્ચેની જગ્યા ડાયઇલેક્ટ્રિક પદાર્થથી ભરવામાં આવે, તો કેપેસિટન્સ $2.0 \text{ pF}$ થાય છે. તો ડાયઇલેક્ટ્રિક પદાર્થનો ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક . . . . . . છે.

સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યા $1 \times 10^{-3} \,m$ જાડાઈની માઈકા શીટ અને $0.5 \times 10^{-3} \,m$ જાડાઈની ફાઈબર શીટથી ભરેલી છે. માઈકા અને ફાઈબરના ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક અનુક્રમે $8$ અને $2.5$ છે. જો ફાઈબર $6.4 \times 10^6 \,V/m$ ના વિદ્યુતક્ષેત્ર પર બ્રેકડાઉન થાય, તો કેપેસિટર પર લગાવી શકાય તેવો મહત્તમ વોલ્ટેજ કેટલો હશે ($\,V$ માં)?

એક કેપેસિટરને બેટરી વડે સંપૂર્ણ ચાર્જ કરવામાં આવે છે અને પછી તેને ડિસ્કનેક્ટ કરવામાં આવે છે. ત્યારબાદ કેપેસિટરમાં ડાયઇલેક્ટ્રિક દાખલ કરવામાં આવે છે. ડાયઇલેક્ટ્રિકની સપાટી પરના અને કેપેસિટરની પ્લેટોની બહારની સપાટી પરના વિદ્યુતભારોમાં અનુક્રમે શું ફેરફાર થશે?

જ્યારે વિદ્યુતભારીત સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેના અવકાશમાં હવાને ડાઈ-ઈલેક્ટ્રીક માધ્યમ વડે બદલવામાં આવે છે,ત્યારે વિદ્યુત ક્ષેત્રની તીવ્રતા:

હવામાં માધ્યમ ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $3 \mu F$ છે. પ્લેટોની વચ્ચે ડાયલેક્ટ્રિક માધ્યમ દાખલ કરવાથી,કેપેસિટન્સ $15 \mu F$ થાય છે. $SI$ એકમમાં માધ્યમની પરમિટિવિટી કેટલી હશે? [આપેલ છે: $\epsilon_{0} = 8.85 \times 10^{-12} \text{ SI units}$]

જ્યારે ચાર્જ થયેલા કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચે ડાયઇલેક્ટ્રિક પદાર્થ દાખલ કરવામાં આવે છે,ત્યારે પ્લેટો વચ્ચેના વિદ્યુતક્ષેત્ર પર શું અસર થાય છે?