એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરનું પ્લેટ ક્ષેત્રફળ $40 \text{ cm}^2$ અને પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $2 \text{ mm}$ છે. પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યામાં $1 \text{ mm}$ જાડાઈ અને $K = 5$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતું માધ્યમ ભરવામાં આવે છે. આ તંત્રનું કેપેસિટન્સ કેટલું હશે?

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર જેમાં ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્લેબ પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યાને સંપૂર્ણપણે રોકે છે, તેને બેટરી દ્વારા ચાર્જ કરવામાં આવે છે અને પછી ડિસ્કનેક્ટ કરવામાં આવે છે। સ્લેબને અચળ ઝડપે બહાર ખેંચવામાં આવે છે। નીચેનામાંથી કયો આલેખ સમય સાથે કેપેસિટર $C$ ના ફેરફારને ગુણાત્મક રીતે દર્શાવે છે?

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર પાસે $20 \, kV$ સ્થિતિમાન અને $2 \times 10^{-4} \, \mu F$ કેપેસિટન્સ છે. જો પ્લેટનું ક્ષેત્રફળ $0.01 \, m^2$ હોય અને પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $2 \, mm$ હોય,તો માધ્યમનો ડાઈઈલેક્ટ્રિક અચળાંક શોધો.

$40 \mu F$ કેપેસિટન્સ ધરાવતા સમાંતર-પ્લેટ કેપેસિટરને $100 V$ ના પાવર સપ્લાય સાથે જોડવામાં આવે છે. હવે પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યામાં $K=2$ ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા ડાયલેક્ટ્રિક પદાર્થને ભરવામાં આવે છે. ડાયલેક્ટ્રિક પદાર્થ દાખલ કરવાને કારણે,કેપેસિટરમાં વધારાનો વિદ્યુતભાર અને સ્થિત-વિદ્યુત ઉર્જામાં થતો ફેરફાર અનુક્રમે કેટલો હશે?

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $0.885$ mm છે. જ્યારે પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યા $1 \times 10^{13}$ $\Omega$m અવરોધકતા અને $17.7 \times 10^{14}$ $\Omega$ અવરોધ ધરાવતા અવાહક પદાર્થથી ભરવામાં આવે છે, ત્યારે તેનું કેપેસિટન્સ $1$ $\mu$$F$ થાય છે. અવાહક પદાર્થની સાપેક્ષ પરમિટિવિટી $\alpha \times 10^7$ છે. $\alpha$ નું મૂલ્ય . . . . . . છે. (મુક્ત અવકાશની પરમિટિવિટી $\epsilon_0 = 8.85 \times 10^{-12}$ $F$/m લો)

આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર બે ડાયલેક્ટ્રિક સ્તરો ધરાવે છે. આ કેપેસિટરને બેટરી સાથે જોડવામાં આવે છે. ડાયલેક્ટ્રિક સ્તરો વચ્ચેના વિદ્યુતસ્થિતિમાનના તફાવતનો ગુણોત્તર $(V_1/V_2)$ કેટલો થશે?