फोटोडायोड एक ऐसा उपकरण है जो:

  • A
    जिसमें फोटोकरंट रिवर्स बायस पर निर्भर करता है।
  • B
    जिसमें फोटोकरंट आपतित विकिरण से स्वतंत्र होता है।
  • C
    जो हमेशा फॉरवर्ड बायस में संचालित होता है।
  • D
    जो हमेशा रिवर्स बायस में संचालित होता है।

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कथन: रिवर्स बायस वाले $p-n$ जंक्शन का उपयोग प्रकाश की तीव्रता को मापने के लिए फोटो-डायोड के रूप में किया जा सकता है।
कारण: रिवर्स बायस स्थिति में धारा कम होती है लेकिन यह आपतित प्रकाश की तीव्रता में परिवर्तन के प्रति अधिक संवेदनशील होती है।

जब $2480 \; nm$ से कम तरंग दैर्ध्य का विद्युत चुम्बकीय विकिरण एक अर्धचालक पर आपतित होता है,तो उसकी विद्युत चालकता बढ़ जाती है। अर्धचालक के लिए $eV$ में बैंड गैप है

वह उपकरण जो ऑप्टिकल संकेतों का पता लगा सकता है,वह है

समझाइए कि दृश्य $LED$ बनाने के लिए तात्विक अर्धचालकों का उपयोग क्यों नहीं किया जा सकता है।

$1.4 \ eV$ के बैंड गैप वाले अर्धचालक (semiconductor) से एक $p-n$ फोटोडायोड बनाया गया है। यह किस तरंगदैर्ध्य के सिग्नल का पता लगा सकता है?

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