જર્મેનિયમ સ્ફટિકમાં થોડા પ્રમાણમાં ઍન્ટિમની અશુદ્ધિ ઉમેરતાં શું થાય છે?

અર્ધવાહકમાં વહેતા કુલ વિદ્યુતપ્રવાહમાં ઇલેક્ટ્રોન અને હોલનો ફાળો અનુક્રમે $\frac{3}{4}$ અને $\frac{1}{4}$ છે. જો આ તાપમાને ઇલેક્ટ્રોનનો ડ્રિફ્ટ વેગ હોલના ડ્રિફ્ટ વેગ કરતા $\frac{5}{2}$ ગણો હોય,તો ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની સાંદ્રતાનો ગુણોત્તર કેટલો થાય?

જર્મેનિયમ સ્ફટિકને $P-$પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરમાં રૂપાંતરિત કરવા માટે ઉમેરવામાં આવતી અશુદ્ધિની સંયોજકતા કેટલી હોય છે?

$n$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરનો વિચાર કરો જેમાં $n_e$ અને $n_h$ અનુક્રમે ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની સંખ્યા છે.
$(A)$ હોલ એ લઘુમતી વાહકો છે.
$(B)$ ડોપન્ટ એ પેન્ટાવેલેન્ટ પરમાણુ છે.
$(C)$ $n_e n_h \neq n_i^2$ (જ્યાં $n_i$ એ સેમિકન્ડક્ટર જ્યારે તે આંતરિક સ્વરૂપમાં હોય ત્યારે ઇલેક્ટ્રોન અથવા હોલની સંખ્યા છે).
$(D)$ $n_e n_h \geq n_i^2$.
$(E)$ હોલ ડોનરને કારણે ઉત્પન્ન થતા નથી.
નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સાચો જવાબ પસંદ કરો.

$500\, K$ તાપમાને શુદ્ધ $Si$ માં ઇલેક્ટ્રોન $(n_e)$ અને હોલ $(n_h)$ ની સાંદ્રતા સમાન એટલે કે $1.5 \times 10^{16} \, m^{-3}$ છે. ઇન્ડિયમ વડે ડોપિંગ કરવાથી $n_h$ વધીને $4.5 \times 10^{22} \, m^{-3}$ થાય છે. તો આ ડોપ્ડ સેમિકન્ડક્ટર કેવા પ્રકારનું હશે?

એક શુદ્ધ સેમિકન્ડક્ટર ક્રિસ્ટલમાં $5 \times 10^{22}$ પરમાણુઓ પ્રતિ $cm^3$ છે. તેને $1$ ppm સાંદ્રતા ધરાવતા પેન્ટાવેલેન્ટ તત્વ સાથે ડોપ કરવામાં આવે છે. ડોપ્ડ સેમિકન્ડક્ટરમાં હોલ્સની સંખ્યા શોધો (આપેલ છે કે $n_i = 1.5 \times 10^{10} cm^{-3}$):