$500\, K$ તાપમાને શુદ્ધ $Si$ માં ઇલેક્ટ્રોન $(n_e)$ અને હોલ $(n_h)$ ની સાંદ્રતા સમાન એટલે કે $1.5 \times 10^{16} \, m^{-3}$ છે. ઇન્ડિયમ વડે ડોપિંગ કરવાથી $n_h$ વધીને $4.5 \times 10^{22} \, m^{-3}$ થાય છે. તો આ ડોપ્ડ સેમિકન્ડક્ટર કેવા પ્રકારનું હશે?

  • A
    $p$-પ્રકારનું,જેમાં ઇલેક્ટ્રોન સાંદ્રતા $n_e = 5 \times 10^9 \, m^{-3}$ છે
  • B
    $n$-પ્રકારનું,જેમાં ઇલેક્ટ્રોન સાંદ્રતા $n_e = 5 \times 10^{22} \, m^{-3}$ છે
  • C
    $p$-પ્રકારનું,જેમાં ઇલેક્ટ્રોન સાંદ્રતા $n_e = 2.5 \times 10^{10} \, m^{-3}$ છે
  • D
    $n$-પ્રકારનું,જેમાં ઇલેક્ટ્રોન સાંદ્રતા $n_e = 2.5 \times 10^{23} \, m^{-3}$ છે

Explore More

Similar Questions

$n$-ટાઈપ સેમિકન્ડક્ટરમાં,ઈલેક્ટ્રોન મેજોરિટી ચાર્જ કેરિયર્સ છે,પરંતુ તે કોઈ ઋણ વીજભાર દર્શાવતું નથી. તેનું કારણ શું છે?

$P$ પ્રકારનો અર્ધવાહક તૈયાર કરવા માટે $Si$ ના નમૂનામાં ઇન્ડિયમ અશુદ્ધિ ઉમેરવામાં આવે છે. આ અર્ધવાહકમાં $Si$ ના $5 \times 10^7$ પરમાણુદીઠ ઇન્ડિયમનો એક પરમાણુ ઉમેરેલ છે. $Si$ ના નમૂનાની પરમાણુઘનતા $5 \times 10^{28} \text{ પરમાણુ/m}^3$ છે,તો સિલિકોનના $1 \text{ cm}^3$ ના સમઘનમાં એક્સેપ્ટરના કેટલા પરમાણુ હશે?

જો જર્મેનિયમ સ્ફટિકમાં એન્ટિમનીની થોડી માત્રા ઉમેરવામાં આવે,તો:

જો $n_{e}$ અને $n_{h}$ એ ફોસ્ફરસ સાથે ભારે ડોપિંગ કરેલા સેમિકન્ડક્ટરમાં અનુક્રમે ઇલેક્ટ્રોન અને હોલ્સની સંખ્યા હોય,તો:

$n$-પ્રકાર અને $p$-પ્રકારના સિલિકોન સેમિકન્ડક્ટર શુદ્ધ સિલિકોનમાં નીચેનામાંથી કયા તત્વો ઉમેરીને મેળવી શકાય છે?

Vedclass Products

For Students

Vedclass Test Series

Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.

Start Free Trial
For Teachers

Exam Paper Generator

Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.

Try Free
For Institutes

Online Exam Module

Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.

See Demo