$n$-પ્રકાર અને $p$-પ્રકારના સિલિકોન સેમિકન્ડક્ટર શુદ્ધ સિલિકોનમાં નીચેનામાંથી કયા તત્વો ઉમેરીને મેળવી શકાય છે?

ઓરડાના તાપમાને આંતરિક $Ge$ ના નમૂનામાં ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની મોબિલિટી અનુક્રમે $0.35 \, m^2/V-s$ અને $0.18 \, m^2/V-s$ છે. જો ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની ઘનતા દરેક $2.5 \times 10^{19} \, /m^3$ જેટલી હોય,તો $Ge$ ની વાહકતા.....$S/m$ થશે. ($.12$ માં)

$N$-પ્રકારના જર્મેનિયમમાં ઇલેક્ટ્રોન મોબિલિટી $3900 \ cm^2/V \cdot s$ છે અને તેની વાહકતા $6.24 \ mho/cm$ છે. જો હોલ્સની અસર અવગણ્ય હોય,તો અશુદ્ધિનું પ્રમાણ (impurity concentration) કેટલું હશે?

$500 \ K$ તાપમાને શુદ્ધ અર્ધવાહકમાં ઇલેક્ટ્રોન સંખ્યા-ઘનતા $(n_e)$ અને હોલ સંખ્યા-ઘનતા $(n_h)$ સમાન છે,જે $1.5 \times 10^{16} \ m^{-3}$ છે. હવે,તેમાં ઇન્ડિયમ અશુદ્ધિ ઉમેરતાં હોલ ઘનતા $(n_h)$ વધીને $4.5 \times 10^{22} \ m^{-3}$ થાય છે. આ અશુદ્ધિ ઉમેરેલ અર્ધવાહક ...

અશુદ્ધ સેમિકન્ડક્ટર (અર્ધવાહક),ડોપિંગ અને ડોપન્ટ એટલે શું?

$n$-ટાઈપ સેમિકન્ડક્ટરમાં, ફર્મી એનર્જી લેવલ ક્યાં હોય છે?