$n$-प्रकार और $p$-प्रकार के सिलिकॉन अर्धचालक को शुद्ध सिलिकॉन में क्या मिलाकर प्राप्त किया जा सकता है?

मान लीजिए कि $n_e$ एक अर्धचालक में इलेक्ट्रॉनों की संख्या घनत्व है और $v_d$ अपवाह वेग (drift velocity) है। जब तापमान बढ़ाया जाता है:

ग्राही (एक्सेप्टर) अशुद्धि क्या है? ऐसी अशुद्धियों के नाम लिखिए।

नैज (intrinsic) अर्धचालक में कुल धारा का सूत्र लिखिए।

$P$-प्रकार का अर्धचालक तैयार करने के लिए $Si$ के नमूने में इंडियम अशुद्धि मिलाई जाती है। इस अर्धचालक में $Si$ के $5 \times 10^7$ परमाणुओं के प्रति एक इंडियम परमाणु मिलाया गया है। $Si$ के नमूने का परमाणु घनत्व $5 \times 10^{28} \text{ परमाणु/m}^3$ है,तो सिलिकॉन के $1 \text{ cm}^3$ के घन में कितने स्वीकर्ता (एक्सेप्टर) परमाणु होंगे?

$1 \ m^3$ में सिलिकॉन परमाणुओं की संख्या $5 \times 10^{28}$ है। इसे $4.5 \times 10^{21}$ परमाणु $/ m^3$ आर्सेनिक के साथ डोप किया जाता है। डोपिंग के बाद इलेक्ट्रॉनों की संख्या और होल्स की संख्या का अनुपात क्या होगा? ($n_i = 1.5 \times 10^{16} / m^3$ लें)