$300 \ K$ तापमान पर शुद्ध सिलिकॉन में इलेक्ट्रॉनों $n_e$ और होल्स $n_h$ की सांद्रता $1.5 \times 10^{16} \ m^{-3}$ है। इंडियम के डोपिंग द्वारा $n_h$ को बढ़ाकर $4.5 \times 10^{22} \ m^{-3}$ कर दिया जाता है। तो डोप्ड सिलिकॉन में इलेक्ट्रॉनों $n_e$ की सांद्रता ज्ञात कीजिए।

• A
  $5 \times 10^9 \ m^{-3}$
• B
  $3 \times 10^9 \ m^{-3}$
• C
  $1.9 \times 10^{12} \ m^{-3}$
• D
  $6.8 \times 10^8 \ m^{-3}$