$300 \ K$ તાપમાને શુદ્ધ સિલિકોનમાં ઈલેક્ટ્રોન $n_e$ અને હોલ $n_h$ ની સાંદ્રતા $1.5 \times 10^{16} \ m^{-3}$ છે. ઈન્ડિયમના ડોપિંગ દ્વારા $n_h$ વધારીને $4.5 \times 10^{22} \ m^{-3}$ કરવામાં આવે છે. તો ડોપ્ડ સિલિકોનમાં ઈલેક્ટ્રોન $n_e$ ની સાંદ્રતા ગણો.

• A
  $5 \times 10^9 \ m^{-3}$
• B
  $3 \times 10^9 \ m^{-3}$
• C
  $1.9 \times 10^{12} \ m^{-3}$
• D
  $6.8 \times 10^8 \ m^{-3}$