$P-N$ जंक्शन की अवक्षय परत (depletion layer) ....... से बनी होती है।

  • A
    केवल इलेक्ट्रॉन
  • B
    इलेक्ट्रॉन और होल
  • C
    केवल होल
  • D
    न तो होल और न ही इलेक्ट्रॉन

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निम्नलिखित कथनों $A$ और $B$ पर विचार करें और दिए गए उत्तरों में से सही विकल्प की पहचान करें:
$A:$ $P-N$ जंक्शन डायोड में फॉरवर्ड बायस में अवक्षय परत (depletion layer) की चौड़ाई बढ़ जाती है।
$B:$ एक आंतरिक (intrinsic) अर्धचालक में,फर्मी ऊर्जा स्तर वर्जित अंतराल (forbidden gap) के ठीक बीच में होता है।

$PN-$ जंक्शन डायोड के दिए गए परिपथ के लिए,निम्नलिखित में से कौन सा कथन सही है?

$p-n$ जंक्शन के $n$-क्षेत्र में एक इलेक्ट्रॉन $5 \times 10^5 \ m/s$ की गति से जंक्शन की ओर बढ़ता है। यदि जंक्शन का अवरोध विभव (barrier potential) $0.45 \ V$ है, तो वह गति ज्ञात कीजिए जिससे इलेक्ट्रॉन अवरोध को पार करने के बाद $p$-क्षेत्र में प्रवेश करता है (इलेक्ट्रॉन का आवेश $e = 1.6 \times 10^{-19} \ C$ और इलेक्ट्रॉन का द्रव्यमान $m = 9 \times 10^{-31} \ kg$ है)।

परिपथ में प्रयुक्त डायोड का बैरियर वोल्टेज $0.5\,V$ है और अधिकतम पावर रेटिंग $10\,mW$ है। डायोड के साथ श्रेणीक्रम में जुड़े प्रतिरोध $R$ का न्यूनतम मान क्या होना चाहिए?

यह मानते हुए कि जंक्शन डायोड आदर्श है, चित्र में दिखाए गए विन्यास में धारा क्या है ($\text{mA}$ में)?

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