$P-N$ જંક્શનમાં ડેપ્લેશન સ્તર (depletion layer) બનવાનું કારણ શું છે?

આપેલ આકૃતિમાં,એક ડાયોડ $D$ ને બાહ્ય અવરોધ $R = 100 \,\Omega$ અને $3.5 \,V$ ના $e.m.f.$ સાથે જોડવામાં આવેલ છે. જો ડાયોડ પર ઉદ્ભવતું બેરિયર પોટેન્શિયલ $0.5 \,V$ હોય,તો પરિપથમાં વહેતો પ્રવાહ ........ $mA$ હશે.

એક ડાયોડ $AM$-ડિટેક્ટરમાં,આઉટપુટ સર્કિટ $R = 1 \, k\Omega$ અને $C = 10 \, pF$ ની બનેલી છે. $100 \, kHz$ ના કેરિયર સિગ્નલને ડિટેક્ટ કરવાનું છે. શું આ સારું છે?

જ્યારે $p-n$ જંકશન ડાયોડને રિવર્સ બાયસ આપવામાં આવે છે,ત્યારે પોટેન્શિયલ બેરિયર પર શું અસર થાય છે?

આકૃતિમાં દર્શાવેલ જર્મેનિયમ જંકશન ડાયોડના $V-I$ લાક્ષણિકતા વક્ર પરથી તેનો અવરોધ ........ $k\Omega$ છે $(V_k = 0.3 \, V)$.

જો $Si$ અને $Ge$ ડાયોડ માટે બેરિયર પોટેન્શિયલ અનુક્રમે $0.7 \ V$ અને $0.3 \ V$ હોય,જે આકૃતિમાં દર્શાવેલ છે,તો $V_0$ અને $I$ ના મૂલ્યો શોધો. જો $Ge$ ડાયોડનું જોડાણ ઉલટાવવામાં આવે,તો $V_0$ અને $I$ ના નવા મૂલ્યો અનુક્રમે શોધો.