જો $Si$ અને $Ge$ ડાયોડ માટે બેરિયર પોટેન્શિયલ અનુક્રમે $0.7 \ V$ અને $0.3 \ V$ હોય,જે આકૃતિમાં દર્શાવેલ છે,તો $V_0$ અને $I$ ના મૂલ્યો શોધો. જો $Ge$ ડાયોડનું જોડાણ ઉલટાવવામાં આવે,તો $V_0$ અને $I$ ના નવા મૂલ્યો અનુક્રમે શોધો.

નીચેની આકૃતિઓમાં દર્શાવેલ ડાયોડમાંથી કયો ડાયોડ રિવર્સ બાયસમાં છે?

આકૃતિમાં દર્શાવેલ સર્કિટમાં,ડાયોડ $D_{1}$ અને ડાયોડ $D_{2}$ પરનો શૂન્યતર પોટેન્શિયલ તફાવત સમાન છે. શું ડાયોડ લાક્ષણિકતાઓમાં સમાન છે? સમજાવો.

નીચેનામાંથી કયો આલેખ ડાયોડના ફોરવર્ડ બાયસ લાક્ષણિકતા દર્શાવે છે?

$P-N$ જંકશનના ફૉરવર્ડ બાયસ અવરોધ અને રિવર્સ બાયસ અવરોધનો ગુણોત્તર આશરે ....... છે.

$p-n$ જંકશનને કેપેસિટર તરીકે ગણો, જેમાં $p$ અને $n$-મટિરિયલ પાતળા ધાતુના ઇલેક્ટ્રોડ તરીકે અને ડેપ્લેશન લેયરની પહોળાઈ તેમની વચ્ચેના અંતર તરીકે કાર્ય કરે છે. આના આધારે, ધારો કે એક $n-p-n$ ટ્રાન્ઝિસ્ટર $CE$ કોન્ફિગરેશનમાં એમ્પ્લીફાયર તરીકે કામ કરી રહ્યું છે. જો $C_1$ અને $C_2$ એ બેઝ-એમિટર્સ અને કલેક્ટર-એમિટર્સ જંકશન કેપેસિટન્સ હોય, તો :