यदि $Si$ और $Ge$ डायोड का बैरियर विभव क्रमशः $0.7 \ V$ और $0.3 \ V$ है,जैसा कि परिपथ में दिखाया गया है,तो $V_0$ और $I$ के मान ज्ञात कीजिए। यदि $Ge$ डायोड के कनेक्शन को उलट दिया जाए,तो $V_0$ और $I$ के नए मान क्रमशः ज्ञात कीजिए।

  • A
    $11.3 \ mA, 2.26 \ mA$
  • B
    $2.34 \ mA, 2.20 \ mA$
  • C
    $2.50 \ mA, 1.80 \ mA$
  • D
    $10.2 \ mA, 3.20 \ mA$

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एक डायोड का धारा-वोल्टेज संबंध $I = \left( {{e^{\frac{{1000V}}{T}}} - 1} \right) \, mA$ द्वारा दिया गया है,जहाँ प्रयुक्त वोल्टेज $V$ वोल्ट में है और तापमान $T$ केल्विन में है। यदि कोई छात्र $300 \, K$ पर $5 \, mA$ की धारा मापते समय $\pm 0.01 \, V$ की त्रुटि करता है,तो धारा के मान में त्रुटि $mA$ में क्या होगी?

Difficult
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नीचे दिखाए गए परिपथ में बैटरी से प्रवाहित होने वाली धारा क्या है ($\text{A}$ में)?

निम्नलिखित कथनों $A$ और $B$ पर विचार करें और दिए गए उत्तरों में से सही विकल्प की पहचान करें:
$A:$ $P-N$ जंक्शन डायोड में फॉरवर्ड बायस में अवक्षय परत (depletion layer) की चौड़ाई बढ़ जाती है।
$B:$ एक आंतरिक (intrinsic) अर्धचालक में,फर्मी ऊर्जा स्तर वर्जित अंतराल (forbidden gap) के ठीक बीच में होता है।

थर्मिस्टर आमतौर पर...... से बना होता है।

$PN$ जंक्शन डायोड में एवालांच ब्रेकडाउन किसके कारण होता है?

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