$300 \ K$ पर एक शुद्ध $Si$ क्रिस्टल में इलेक्ट्रॉन $(n_e)$ और होल $(n_h)$ की सांद्रता समान है,जो $1.5 \times 10^{16} \ m^{-3}$ है। इंडियम के साथ डोपिंग करने पर,होल की सांद्रता बढ़कर $4.5 \times 10^{22} \ m^{-3}$ हो जाती है। डोप्ड $Si$ में नई इलेक्ट्रॉन सांद्रता $(n_e)$ की गणना करें।

• A
  $4.3 \times 10^{10} \ m^{-3}$
• B
  $5 \times 10^{-7} \ m^{-3}$
• C
  $3.8 \times 10^6 \ m^{-3}$
• D
  $5 \times 10^9 \ m^{-3}$