જ્યારે 2480 , nm થી ઓછી તરંગલંબાઈનું વિકિરણ અ | vedclass

Name: Exam Paper Generator | JEE NEET Paper Generator | Vedclass
Brand: Vedclass
Rating: 5 (35 reviews)

Question

(A) બૅન્ડગૅપ ઊર્જા $E_g$ એ આપાત ફોટોનની મહત્તમ તરંગલંબાઈ $\lambda = 2480 \, nm$ ને અનુરૂપ છે,જે ઇલેક્ટ્રોનને બૅન્ડગૅપ ઓળંગવા માટે ઉત્તેજિત કરી શકે છે.

Vedclass · Accepted Answer

$0.5$

Vedclass · Answer

(A) બૅન્ડગૅપ ઊર્જા $E_g$ એ આપાત ફોટોનની મહત્તમ તરંગલંબાઈ $\lambda = 2480 \, nm$ ને અનુરૂપ છે,જે ઇલેક્ટ્રોનને બૅન્ડગૅપ ઓળંગવા માટે ઉત્તેજિત કરી શકે છે.સૂત્ર $E = \frac{hc}{\lambda}$ નો ઉપયોગ કરતા,જ્યાં $h = 6.63 	imes 10^{-34} \, J \cdot s$,$c = 3 	imes 10^8 \, m/s$,અને $1 \, eV = 1.6 	imes 10^{-19} \, J$ છે:$E = \frac{6.63 	imes 10^{-34} 	imes 3 	imes 10^8}{2480 	imes 10^{-9} 	imes 1.6 	imes 10^{-19}} \, eV$$E = \frac{19.89 	imes 10^{-26}}{3968 	imes 10^{-28}} \, eV$$E = \frac{1989}{3968} \approx 0.5 \, eV$.આમ,અર્ધવાહકની બૅન્ડગૅપ $0.5 \, eV$ છે.

Similar Questions

ઓરડાના તાપમાને અર્ધવાહકોમાં,

એનર્જી બેન્ડના આધારે આકૃતિ દોરીને વાહક (ધાતુ),અવાહક અને અર્ધવાહક સમજાવો.

$Si$ નો એનર્જી બેન્ડ ગેપ ........ $eV$ છે.

સિલિકોનનો પરમાણુ ક્રમાંક $14$ છે. તેની ધરાસ્થિતિમાં ઇલેક્ટ્રોન રચના શું છે?

Vedclass Test Series

Exam Paper Generator

Online Exam Module