जब $2480 \, nm$ से कम तरंगदैर्ध्य का विकिरण एक अर्धचालक पर आपतित होता है,तो इसकी चालकता बढ़ जाती है। इस अर्धचालक का बैंडगैप ....... $eV$ होगा।

किस पदार्थ में ऊर्जा बैंड अंतराल (energy band gap) अधिकतम होता है?

अर्धचालक को गर्म करने पर:

अर्धचालकों में ऊर्जा अंतराल (energy gap) ........ $eV$ की कोटि का होता है।

अर्धचालक (semiconductor) में,निम्नलिखित में से कौन से कथन सही हैं?
$(i)$ $0\, K$ पर कोई मुक्त इलेक्ट्रॉन नहीं होते हैं।
$(ii)$ किसी भी तापमान पर मुक्त इलेक्ट्रॉन नहीं होते हैं।
$(iii)$ तापमान के साथ मुक्त इलेक्ट्रॉनों की संख्या बढ़ती है।
$(iv)$ मुक्त इलेक्ट्रॉनों की संख्या चालक (conductor) की तुलना में कम होती है।

अर्धचालक (semiconductor) में तापमान बढ़ने का चालन बैंड (conduction band) में इलेक्ट्रॉनों की संख्या $(n_e)$ और प्रतिरोध (resistance) पर क्या प्रभाव पड़ेगा?