दिए गए ट्रांजिस्टर परिपथ में आधार धारा (base current) $35 \ \mu A$ है। यदि $V_{BE}$ का मान नगण्य है,तो $k\Omega$ में $R_b$ का मान क्या होगा?

एक ट्रांजिस्टर सक्रिय (active) मोड में कार्य कर रहा है। $v_1$ बेस-एमिटर जंक्शन पर विभव प्राचीर (potential barrier) है और $v_2$ कलेक्टर-बेस जंक्शन पर विभव प्राचीर है। $b_1$ बेस-एमिटर जंक्शन की अवक्षय परत (depletion layer) की चौड़ाई है और $b_2$ कलेक्टर-बेस जंक्शन की चौड़ाई है।

एक सिलिकॉन ट्रांजिस्टर का इनपुट प्रतिरोध $100\,\Omega$ है। बेस धारा में $40\,\mu A$ का परिवर्तन करने पर कलेक्टर धारा में $2\,mA$ का परिवर्तन होता है। इस ट्रांजिस्टर का उपयोग $4\,k\Omega$ के लोड प्रतिरोध के साथ कॉमन एमिटर एम्पलीफायर के रूप में किया जाता है। एम्पलीफायर का वोल्टेज गेन क्या है?

एक ट्रांजिस्टर सर्किट में, जब कलेक्टर वोल्टेज को $2 \ V$ पर स्थिर रखते हुए बेस करंट को $50 \mu A$ से बढ़ाया जाता है, तो कलेक्टर करंट $1 \ mA$ बढ़ जाता है। ट्रांजिस्टर का करंट गेन क्या है?

दिए गए कॉमन एमिटर ट्रांजिस्टर सर्किट में,बेस करंट $I_B = 40 \, \mu A$ है। बेस-एमिटर वोल्टेज $V_{BE}$ ज्ञात कीजिए। ($, V$ में)

एक $CE$ एम्पलीफायर का वोल्टेज गेन $G$ है। उपयोग किए गए ट्रांजिस्टर का ट्रांसकंडक्टेंस $0.03 \ mho$ और करंट गेन $25$ है। यदि इस ट्रांजिस्टर को $0.02 \ mho$ ट्रांसकंडक्टेंस और $20$ करंट गेन वाले दूसरे ट्रांजिस्टर से बदल दिया जाए,तो नया वोल्टेज गेन ........ होगा।