एक $P-N$ जंक्शन डायोड $10 \ mA$ की धारा के साथ फॉरवर्ड बायस स्थिति में है। डायोड के सिरों पर विभव पतन (potential drop) $0.5 \ V$ है। यह मानते हुए कि धारा विभव से स्वतंत्र है,इस फॉरवर्ड बायस स्थिति को बनाए रखने के लिए $200 \ \Omega$ के प्रतिरोधक के साथ श्रेणीक्रम में जुड़ी बैटरी का अधिकतम वोल्टेज कितना होगा? (in $V$)

  • A
    $1.8$
  • B
    $4.2$
  • C
    $2.5$
  • D
    $3$

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$PN$ जंक्शन को फॉरवर्ड बायस करने के लिए,बैटरी का ऋणात्मक टर्मिनल किससे जोड़ा जाता है?

यदि $Si$ और $Ge$ डायोड का बैरियर विभव क्रमशः $0.7 \ V$ और $0.3 \ V$ है,जैसा कि परिपथ में दिखाया गया है,तो $V_0$ और $I$ के मान ज्ञात कीजिए। यदि $Ge$ डायोड के कनेक्शन को उलट दिया जाए,तो $V_0$ और $I$ के नए मान क्रमशः ज्ञात कीजिए।

निम्नलिखित डायोड परिपथों $X$ और $Y$ में प्रवाहित होने वाली धाराओं के मान क्रमशः क्या हैं? (मान लीजिए कि डायोड आदर्श हैं)

$P-N$ जंक्शन डायोड को फॉरवर्ड बायस में समायोजित करने पर,डिप्लेशन लेयर और प्रतिरोध पर क्या प्रभाव पड़ता है?

फॉरवर्ड बायस में $\text{P-N}$ जंक्शन की $\text{I-V}$ विशेषता दिखाई गई है। जंक्शन का अनुमानित फॉरवर्ड प्रतिरोध है $-$ ($\Omega$ में)

Difficult
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