શુદ્ધ સિલિકોનમાં $T = 300 \ K$ તાપમાને ઈલેક્ટ્રોન-હોલ સાંદ્રતા $7 \times 10^{15} \ m^{-3}$ છે. એન્ટિમનીને સિલિકોનમાં $10^7 \ Si$ પરમાણુ દીઠ $1$ પરમાણુના દરે અશુદ્ધિ તરીકે ઉમેરવામાં આવે છે. ધારો કે અડધા અશુદ્ધિ પરમાણુઓ તેમના ઈલેક્ટ્રોન કન્ડકશન બેન્ડમાં આપે છે. ભાર વાહકોની સંખ્યામાં થતો વધારો દર્શાવતો ઘટક શોધો. આપેલ છે: સિલિકોન પરમાણુઓની સંખ્યા ઘનતા $5 \times 10^{28} \ m^{-3}$ છે.

જ્યારે જર્મેનિયમમાં ફોસ્ફરસ અને એન્ટિમની ઉમેરવામાં આવે છે,ત્યારે:

$300 \ K$ તાપમાને શુદ્ધ સિલિકોનમાં ઈલેક્ટ્રોન $n_e$ અને હોલ $n_h$ ની સાંદ્રતા $1.5 \times 10^{16} \ m^{-3}$ છે. ઈન્ડિયમના ડોપિંગ દ્વારા $n_h$ વધારીને $4.5 \times 10^{22} \ m^{-3}$ કરવામાં આવે છે. તો ડોપ્ડ સિલિકોનમાં ઈલેક્ટ્રોન $n_e$ ની સાંદ્રતા ગણો.

સેમિકન્ડક્ટરમાં રહેલા ડોનર પરમાણુમાં એક ઢીલી રીતે બંધાયેલો ઇલેક્ટ્રોન હોય છે. આ ઇલેક્ટ્રોનની કક્ષા સેમિકન્ડક્ટર મટીરીયલ દ્વારા નોંધપાત્ર રીતે પ્રભાવિત થાય છે,પરંતુ તે ઘણી રીતે હાઇડ્રોજન ન્યુક્લિયસની આસપાસ ફરતા ઇલેક્ટ્રોન જેવું વર્તન કરે છે. જો ઇલેક્ટ્રોનનું અસરકારક દળ $0.07 \, m_e$ હોય,જ્યાં $m_e$ એ મુક્ત ઇલેક્ટ્રોનનું દળ છે અને જે અવકાશમાં તે ગતિ કરે છે તેની પરમિટિવિટી $13 \, \varepsilon_0$ છે,તો ઇલેક્ટ્રોનની સૌથી નીચી ઉર્જા કક્ષાની ત્રિજ્યા આશરે ................. $\mathring{A}$ હશે (હાઇડ્રોજન પરમાણુની બોહર ત્રિજ્યા $0.53 \mathring{A}$ લો).

ઓરડાના તાપમાને આંતરિક સિલિકોનના સ્ફટિકમાં કેરિયર સાંદ્રતા $1.6 \times 10^{16} / m^3$ છે. જો ડોનર સાંદ્રતાનું સ્તર $4.8 \times 10^{20} / m^3$ હોય, તો સેમિકન્ડક્ટરમાં હોલ્સની સાંદ્રતા કેટલી હશે?

$p-$પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટર માટે નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું છે?